New Developments in Semiconductor Physics

Idioma: inglés

Editorial: Springer, Springer Berlin Heidelberg Mai 1980, 1980

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Low temperature photo- and magneto-transport involving impurity-phonon resonances in semiconductors.- Optically detected magnetic resonance studies of semiconductors.- Deep level spectroscopy in semicounductors by optical excitation.- Depleted layer spectroscopy.- Luminescence of chromium in gallium arsenide.- Analysis of defect states by transient capacitance methods in proton bombarded gallium arsenide at 300 K and 77 K.- Properties of an extended defect in GaAs.62P.38.- Large defect-lattice relaxation phenomena in solids.- Temperature dependent decay of a metastable state of systems with large impurity-lattice relaxation (CdF2 : In).- Electron-phonon interaction: Polaron transport.- Stress dependence of quantum limit hall effect and transverse magnetoresistance in n-InSb.- Photoluminescence in amorphous semiconductors.- Man-made semiconductor superlattices.- The localized states of interfaces and their physical models.- Cyclic cluster model (CCM) in the CNDO approximation for deep levels in covalent solids.- Is there a minimum linewidth in integrated circuits .Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 292 pp. Englisch.…

N° de ref. del artículo 9783540099888

Título
New Developments in Semiconductor Physics
Autor
F. Beleznay
Editorial
Springer, Springer Berlin Heidelberg Mai 1980
Año de publicación
1980
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3540099883
ISBN 13
9783540099888
Peso del artículo
508 gramos
Dimensiones
244x170x16 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Alemania

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