Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs

Idioma: inglés

Editorial: Scholars' Press Jul 2015, 2015

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Rupendra Kumar Sharma received Ph.D. degree in electronics from the University of Delhi, India in 2010. His Ph.D thesis was on the modeling, simulation and characterization of gate misalignment effect in DG MOSFETs. Dr. Sharma was a Postdoctoral Researcher with the Department of Electronics (DEIS) University of Bologna, Italy, where he was involved in numerical optimization and characterization of a dual N/P channel super-junction LDMOS for low dropout voltage regulator (LDO) applications. He has also served as a Marie-Curie experienced researcher for the Telecommunication Systems Institute; Technical University of Crete, Greece on a European Funding Research Program Compact Modeling Network (¿COMON¿) on compact modeling of nanoscale multi-gate MOSFETs and of high-voltage MOSFETs. Currently, He is working on the project ¿Silicon carbide based power devices and their applications for power savings¿ funded by European Social Fund in collaboration with Czech Science Foundation at the Faculty of Electrical Engineering, Czech Technical University in Prague. He has authored or coauthored over 32 papers in various international journals and conference proceedings.OmniScriptum SRL, Str. Armeneasca 28/1, office 1, 2012 Chisinau 156 pp. Englisch.…

N° de ref. del artículo 9783639708028

Título
Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs
Autor
Rupendra Kumar Sharma
Editorial
Scholars' Press Jul 2015
Año de publicación
2015
Estado
Neu
Sobrecubierta
Sobrecubierta Incluida
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3639708024
ISBN 13
9783639708028
Peso del artículo
250 gramos
Dimensiones
220x150x10 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Alemania

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