Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes

Editorial: Taylor & Francis (2000), London / New York, 2000

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orig.boards Minor rubbing. A 1cm tear to spine. VG. Textual graphs & diagrams. 24x16cm, (8), 372 pp Contents: Basic Physics & Materials Technology of GaN LEDs and LDs; Theoretical Analysis of Optical Gain Spectra; Electrical Conductivity Control; Crystal Defects & Device Performance in LEDs and LDs; Emission Mechanisms & Excitons in GaN and InGaN Bulk and QWs153; Life Testing and Degradation Mechanisms in InGaN LEDs; The Development & Future Prospects of GaN-based LEDs and LD. Minor rubbing. A 1cm tear to spine. VG.

N° de ref. del artículo 010259

Detalles bibliográficos

Título
Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes
Autor
Nakamura, Shuji & Chichibu, Shigefusa F.; editors:
Editorial
Taylor & Francis (2000), London / New York
Año de publicación
2000
Encuadernación
Encuadernación de tapa dura

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