Introduction to Magnetic Random-Access Memory

Idioma: inglés

Editorial: John Wiley and Sons Inc, US, 2017

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Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Although toggle-MRAM is currently a commercial product, it is clear that future developments in MRAM will be based on spin-transfer torque, which makes use of electrons' spin angular momentum instead of their charge. MRAM will require an amalgamation of magnetics and microelectronics technologies. However, researchers and developers in magnetics and in microelectronics attend different technical conferences, publish in different journals, use different tools, and have different backgrounds in condensed-matter physics, electrical engineering, and materials science. This book is an introduction to MRAM for microelectronics engineers written by specialists in magnetic materials and devices. It presents the basic phenomena involved in MRAM, the materials and film stacks being used, the basic principles of the various types of MRAM (toggle and spin-transfer torque; magnetized in-plane or perpendicular-to-plane), the back-end magnetic technology, and recent developments toward logic-in-memory architectures. It helps bridge the cultural gap between the microelectronics and magnetics communities.

N° de ref. del artículo LU-9781119009740

Título
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Autor
Bernard Dieny, Ronald B. Goldfarb, Kyung-Jin Lee
Editorial
John Wiley and Sons Inc, US
Año de publicación
2017
Estado
New
Encuadernación
Hardback
Idioma
inglés
ISBN 10
111900974X
ISBN 13
9781119009740
Peso del artículo
567 gramos

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