Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET

Idioma: inglés

Editorial: LAP LAMBERT Academic Publishing Mär 2019, 2019

6139462487 / 9786139462483

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 60 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9786139462483

Título
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Autor
Gaurav Dhiman
Editorial
LAP LAMBERT Academic Publishing Mär 2019
Año de publicación
2019
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
6139462487
ISBN 13
9786139462483
Peso del artículo
107 gramos
Dimensiones
220x150x5 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Alemania

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