Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon

Idioma: inglés

Editorial: Springer Vienna Nov 2012, 2012

3709172047 / 9783709172049

Serie: Libro 13 de 17 - Computational Microelectronics

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Basically all properties of semiconductor devices are influenced by the distribution of point defects in their active areas. This book contains the first comprehensive review of the properties of intrinsic point defects, acceptor and donor impurities, isovalent atoms, chalcogens, and halogens in silicon, as well as of their complexes. Special emphasis is placed on compiling the structures, energetic properties, identified electrical levels and spectroscopic signatures, and the diffusion behavior from experimental and theoretical investigations. In addition, the book discusses the fundamental concepts of silicon and its defects, the electron system, diffusion, thermodynamics, and reaction kinetics which form the scientific basis needed for a thorough understanding of the text. Therefore, the book is able to provide an introduction to newcomers in this field up to a comprehensive reference for experts in process technology, solid-state physics, and simulation of semiconductor processes. 588 pp. Englisch.…

N° de ref. del artículo 9783709172049

Título
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Autor
Peter Pichler
Editorial
Springer Vienna Nov 2012
Año de publicación
2012
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3709172047
ISBN 13
9783709172049
Peso del artículo
1090 gramos
Dimensiones
254x178x32 mm
Serie
Libro 13 de 17: Computational Microelectronics

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