Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well

Idioma: inglés

Editorial: LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2018, 2018

6139911680 / 9786139911684

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -We believe that positive ion plays an important role in Indium-containing nitride compounds. Increasing indium, even in low amounts in nitride compounds, has been shown to increase the intensity of the radiation spectrum in LEDs and LDs. This is related to an increase in the radiation spectrum with the effect of indium. There are various results that confirm the effect of fluctuations in the indium diffusion in nitride alloys. 100 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9786139911684

Detalles bibliográficos

Título
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well
Autor
Samane Sadat Ahmadi
Editorial
LAP LAMBERT Academic Publishing Okt 2018
Año de publicación
2018
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
6139911680
ISBN 13
9786139911684
Peso del artículo
167 gramos
Dimensiones
220x150x6 mm

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