III-Nitride Electronic Devices
Idioma: inglés
Editorial: Elsevier Science, 2019
- Tapa dura
- Nuevo

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- Título
- III-Nitride Electronic Devices
- Editorial
- Elsevier Science
- Año de publicación
- 2019
- Estado
- New
- Encuadernación
- Encuadernación de tapa dura
- Idioma
- inglés
- ISBN 10
- 0128175443
- ISBN 13
- 9780128175446
III-Nitride Electronic Devices, Volume 102, emphasizes two major technical areas advanced by this technology: radio frequency (RF) and power electronics applications. The range of topics covered by this book provides a basic understanding of materials, devices, circuits and applications while showing the future directions of this technology. Specific chapters cover Electronic properties of III-nitride materials and basics of III-nitride HEMT, Epitaxial growth of III-nitride electronic devices, III-nitride microwave power transistors, III-nitride millimeter wave transistors, III-nitride lateral transistor power switch, III-nitride vertical devices, Physics-Based Modeling, Thermal management in III-nitride HEMT, RF/Microwave applications of III-nitride transistor/wireless power transfer, and more.
- Presents a complete review of III-Nitride electronic devices, from fundamental physics, to applications in two key technical areas - RF and power electronics
- Outlines fundamentals, reviews state-of-the-art circuits and applications, and introduces current and emerging technologies
- Written by a panel of academic and industry experts in each field
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Acerca del autor
Keisuke Shinohara is a principal scientist at Teledyne Scientific and Imaging in the USA. He received his Ph.D. degree in Solid State Physics from Osaka University, Japan in 1998. He has over 25 years of experience on material and transistor development based on III-V compound semiconductors such as InP-HEMTs, InP-HBTs, and GaN-HEMTs. His current research interests are the design, fabrication and characterization of novel III-N-based devices for RF and power electronics applications. He is currently a principal investigator of DARPA DREaM program, leading next generation high power-density, efficient, and linear GaN transistor development. Prior to joining Teledyne, he was with HRL Laboratories, and served as a principal investigator of DARPA NEXT and MPC programs. He has authored or coauthored more than 120 peer reviewed journals and international conference papers including 30 invited presentations, and 2 book chapters. He holds 21 patents in this technical field. He is a senior member of IEEE Electron Device Society and served on the technical committee of several international conferences including International Electron Device Meeting (IEDM), Device Research Conference (DRC), Microwave Theory and Techniques Society (MTT-S), International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), and (Lester Eastman Conference (LEC).
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Información sobre el derecho de desistimiento
Derecho legal de desistimiento
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El periodo de desistimiento vencerá a los 14 días desde que usted, o un tercero que no sea el transportista e indicado por usted, adquiera la posesión física del último bien o del último lote o pieza.
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