High-Frequency GaN Electronic Devices

Idioma: inglés

Editorial: Springer International Publishing Aug 2020, 2020

3030202100 / 9783030202101

  • Tapa blanda
  • Nuevo
Ver todos los detalles

Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Vendedor de 5 estrellas

Vendedor de AbeBooks desde 11 de enero de 2012

Ver los artículos de este vendedor
Tapa blanda

Condición: Nuevo

EUR 128,39

Envío por EUR 23,00 
Se envía de Alemania a Estados Unidos de America

Cantidad disponible: 2 disponibles

Añadir al carrito
Devoluciones gratuitas de 30 días

Descripción del artículo del vendedor

This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book brings together recent research by scientists and device engineers working on both aggressively-scaled conventional transistors as well as unconventional high-frequency device concepts in the III-N material system. Device concepts for mm-wave to THz operation based on deeply-scaled HEMTs, as well as distributed device designs based on plasma-wave propagation in polarization-induced 2DEG channels, tunneling, and hot-carrier injection are discussed in detail. In addition, advances in the underlying materials science that enable these demonstrations, and advancements in metrology that permit the accurate characterization and evaluation of these emerging device concepts are also included. Targeting readers looking to push the envelope in GaN-based electronics device research, this book provides a current, comprehensive treatment of device concepts and physical phenomenology suitable for applying GaN and related materials to emerging ultra-high-frequency applications.Offers readers an integrated treatment of the state of the art in both conventional (i.e., HEMT) scaling as well as unconventional device architectures suitable for amplification and signal generation in the mm-wave and THz regime using GaN-based devices, written by authors that are active and widely-known experts in the field;Discusses both conventional scaled HEMTs (into the deep mm-wave) as well as unconventional approaches to address the mm-wave and THz regimes;Provides 'vertically integrated' coverage, including materials science that enables these recent advances, as well as device physics & design, and metrology techniques;Includes fundamental physics, as well as numerical simulations and experimental realizations. 320 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783030202101

Título
High-Frequency GaN Electronic Devices
Autor
Patrick Fay
Editorial
Springer International Publishing Aug 2020
Año de publicación
2020
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3030202100
ISBN 13
9783030202101
Peso del artículo
487 gramos
Dimensiones
235x155x18 mm

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Bergisch Gladbach, Alemania

Vendedor de 5 estrellas

Vendedor de AbeBooks desde 11 de enero de 2012

Tarifas de envío de Alemania a Estados Unidos de America

ArtículoDe 5 a 15 días hábilesDe 5 a 15 días hábiles
Primer artículoEUR 23,00EUR 23,00
Los plazos de entrega los establecen los vendedores y varían según el transportista y la ubicación. Los pedidos que pasan por la aduana pueden sufrir retrasos y los compradores son responsables de los aranceles o tarifas asociadas. Los vendedores pueden ponerse en contacto con usted en relación con cargos adicionales para cubrir cualquier aumento en los costes de envío de los artículos.

Métodos de pago

  • Visa
  • Mastercard
  • American Express
  • Carte Bleue
  • Apple Pay
  • Google Pay
  • Cheque
  • Giro bancario
  • PayPal

Información empresarial del vendedor

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Alemania