HEMT Technology and Applications
Idioma: inglés
Editorial: Springer, Springer Jun 2023, 2023
Serie: Libro 2 de 17 - Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering
- Tapa blanda
- Nuevo
Librería: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Alemaniabuchversandmimpf2000
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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book covers two broad domains: state-of-the-art research in GaN HEMT and Ga2O3 HEMT. Each technology covers materials system, band engineering, modeling and simulations, fabrication techniques, and emerging applications. The book presents basic operation principles of HEMT, types of HEMT structures, and semiconductor device physics to understand the device behavior. The book presents numerical modeling of the device and TCAD simulations for high-frequency and high-power applications. The chapters include device characteristics of HEMT including 2DEG density, Id-Vgs, Id-Vds, transconductance, linearity, and C-V. The book emphasizes the state-of-the-art fabrication techniques of HEMT and circuit design for various applications in low noise amplifier, oscillator, power electronics, and biosensor applications. The book focuses on HEMT applications to meet the ever-increasing demands of the industry, innovation in terms of materials, design, modeling, simulation, processes, and circuits. The book will be primarily helpful to undergraduate/postgraduate, researchers, and practitioners in their research.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 256 pp. Englisch.…
N° de ref. del artículo 9789811921674
- Título
- HEMT Technology and Applications
- Autor
- Trupti Ranjan Lenka
- Editorial
- Springer, Springer Jun 2023
- Año de publicación
- 2023
- Estado
- Neu
- Encuadernación
- Taschenbuch
- Idioma
- inglés
- ISBN 10
- 9811921679
- ISBN 13
- 9789811921674
- Peso del artículo
- 394 gramos
- Dimensiones
- 235x155x15 mm
- Serie
- Libro 2 de 17: Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering
This book covers two broad domains: state-of-the-art research in GaN HEMT and Ga2O3 HEMT. Each technology covers materials system, band engineering, modeling and simulations, fabrication techniques, and emerging applications. The book presents basic operation principles of HEMT, types of HEMT structures, and semiconductor device physics to understand the device behavior. The book presents numerical modeling of the device and TCAD simulations for high-frequency and high-power applications. The chapters include device characteristics of HEMT including 2DEG density, Id-Vgs, Id-Vds, transconductance, linearity, and C-V. The book emphasizes the state-of-the-art fabrication techniques of HEMT and circuit design for various applications in low noise amplifier, oscillator, power electronics, and biosensor applications. The book focuses on HEMT applications to meet the ever-increasing demands of the industry, innovation in terms of materials, design, modeling, simulation, processes, and circuits. The book will be primarily helpful to undergraduate/postgraduate, researchers, and practitioners in their research.
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Acerca del autor
Trupti Ranjan Lenka is an Assistant Professor in the Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, India. He received a B.E. degree in Electronics and Communication Engineering from Berhampur University, Odisha, in 2000, M.Tech. degree in VLSI Design from Dr. A. P. J. Abdul Kalam Technical University, Lucknow, in 2007 and a Ph.D. degree in Microelectronics Engineering from Sambalpur University, Odisha, in 2012. He was Visiting Researcher at Helen and John C. Hartmann Department of Electrical and Computer Engineering, New Jersey Institute of Technology (NJIT), Newark, New Jersey, the USA, in 2019, and Solar Energy Research Institute of Singapore (SERIS), National University of Singapore (NUS), Singapore, in 2018. He received Distinguished Faculty Award by NIT Silchar in 2019. He has supervised 12 Ph.D. and 23 M.Tech. students under his guidance. He has published 105 journal research papers, 17 book chapters, and 58 conference papers to his credit and delivered 21 invited talks. His research interests include nanoelectronics: III-nitride heterojunction devices (HEMT, NW LED), solar photovoltaics, energy harvesting using MEMS, and nanotechnology.
Hieu Pham Trung Nguyen received his Ph.D. degree in Electrical Engineering from McGill University, Canada, in 2012. He joined the New Jersey Institute of Technology in 2014 and currently is an Associate Professor in the Department of Electrical and Computer Engineering. He is a recipient of the 2020 NSF CAREER Award, the 2019 Saul K Fenster Innovation in Engineering Education Ward, the SPIE Scholarship in Optics and Photonics 2012 (for his potential long-range contributions to the field of optics, photonics, or related field), the Best Student Paper Award 2011 (Second Place) at the IEEE Photonics Conference 2011, and the Outstanding Student Paper Award at the 28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference, 2011. He is serving as a reviewer for over 70 journals. His research areas are electronic and photonic devices.
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Alternative Streitbeilegung:
Die Europäische Kommission stellt eine Plattform für die außergerichtliche Online-Streitbeilegung (OS-Plattform) bereit, aufrufbar unter http://ec.europa.eu/odr.
Derecho al desistimiento
Si es un consumidor, puede rescindir el contrato de acuerdo con lo siguiente. Por consumidor se entiende cualquier persona física que actúe con fines ajenos a su actividad comercial, empresarial, oficio o profesión.
Información sobre el derecho de desistimiento
Derecho legal de desistimiento
Tiene derecho a rescindir este contrato en un plazo de 14 días sin dar ningún motivo.
El periodo de desistimiento vencerá a los 14 días desde que usted, o un tercero que no sea el transportista e indicado por usted, adquiera la posesión física del último bien o del último lote o pieza.
Para ejercer el derecho de desistimiento, complete de forma electrónica y envíe una declaración clara en nuestro sitio web, desde "Mis compras" en "Mi cuenta". Le enviaremos sin demora un acuse de recibo de dicho desistimiento a través de un soporte duradero (por ejemplo, por correo electrónico).
Para cumplir con el plazo de desistimiento, basta con que envíe su comunicación relativa al ejercicio del derecho de desistimiento antes de que venza el periodo de desistimiento.
Efectos del desistimiento
Si rescinde este contrato, le reembolsaremos todos los pagos que hayamos recibido de usted, incluidos los gastos de envío (excepto los gastos adicionales que surjan si elige un tipo de envío que no sea el tipo de envío estándar más económico que ofrecemos).
Podemos hacer una deducción del reembolso por la pérdida de valor de cualquier bien suministrado, si la pérdida es el resultado de una manipulación innecesaria por su parte.
Efectuaremos el reembolso sin demoras indebidas y, a más tardar, 14 días después de que se nos informe de su decisión de rescindir este contrato.
Efectuaremos el reembolso utilizando el mismo medio de pago que utilizó para la transacción inicial, a menos que haya acordado expresamente lo contrario; en cualquier caso, no incurrirá en ningún cargo como resultado de dicho reembolso.
Podremos retener el reembolso hasta que hayamos recibido los bienes o hasta que nos haya presentado una prueba de que los ha devuelto, lo que ocurra primero.
Deberá devolver los bienes o entregarlos a buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Germany, +49 09209-2023188, sin demoras indebidas y, en cualquier caso, en un plazo máximo de 14 días a partir del día en que nos comunique su desistimiento del presente contrato. El plazo se cumple si devuelve la mercancía antes de que venza el periodo de 14 días. Tendrá que asumir los gastos directos de devolución de los bienes. Usted solo es responsable de la disminución del valor de los bienes como resultado de una manipulación distinta a la necesaria para establecer la naturaleza, las características y el funcionamiento de los bienes.
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