T�tulo: GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model 1ed
Editor: Woodhead Publishing
Fecha de publicaci�n: 2024
Idioma: Ingl�s
ISBN 10: 0323998712
ISBN 13: 9780323998710
Encuadernaci�n: Encuadernaci�n de tapa blanda
Estado: Brand New

Acerca de

Sinopsis

GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-GaN-HEMT Model covers all aspects of characterization and modeling of GaN transistors for both RF and Power electronics applications. Chapters cover an in-depth analysis of the industry standard compact model ASM-HEMT for GaN transistors. The book details the core surface-potential calculations and a variety of real device effects, including trapping, self-heating, field plate effects, and more to replicate realistic device behavior. The authors also include chapters on step-by-step parameter extraction procedures for the ASM-HEMT model and benchmark test results.

GaN is the fastest emerging technology for RF circuits as well as power electronics. This technology is going to grow at an exponential rate over the next decade. This book is envisioned to serve as an excellent reference for the emerging GaN technology, especially for circuit designers, materials science specialists, device engineers and academic researchers and students.

Provides an overview of the operation and physics of GaN-based transistors
Features in-depth description (by the developers of the model) of all aspects of the industry standard ASM-HEMT model for GaN circuits
Details parameter extraction of GaN devices and measurement data requirements for GaN model extraction

Acerca de los autores

Yogesh Singh Chauhan is a Chair Professor in the Department of Electrical Engineering at the Indian Institute of Technology Kanpur, India. He is the developer of several industry standard models: ASM-HEMT, BSIM-BULK (formerly BSIM6), BSIM-CMG, BSIM-IMG, BSIM4 and BSIM-SOI models. His research group is involved in developing compact models for GaN transistors, FinFET, nanosheet/gate-all-around FETs, FDSOI transistors, negative capacitance FETs and 2D FETs. His research interests are RF characterization, modeling, and simulation of semiconductor devices.

Ahtisham Ul Haq Pampori is a postdoctoral researcher at the Berkeley Device Modeling Center (BDMC), University of California, Berkeley. His research focuses on developing advanced semiconductor device models, particularly next-generation BSIM models for field-effect transistors. He earned his doctorate from the Indian Institute of Technology Kanpur, with a focus on GaN HEMT RF device characterization and modeling. A recipient of the Prime Minister’s Research Fellowship, Ahtisham has extensive industry experience collaborating on GaN HEMT characterization and modeling. Prior to academia, he was an Associate Consultant at Frost & Sullivan, specializing in Cloud and Big Data.

Sheikh Aamir Ahsan possesses expertise in state-of-the-art RF and power GaN SPICE models. Originating from the development of the ASM GaN model during his doctoral studies at IIT Kanpur, presently serving as an Assistant Professor at the National Institute of Technology Srinagar (NITSRI), his team leads the advancement of power GaN technology through modeling and design enablement frameworks. Acting as a consultant for multiple industrial partners, his impact extends beyond academia, as his GaN research seamlessly integrates into commercial SPICE simulators, influencing the trajectory of GaN product development and application globally. He was awarded the Startup Research Grant in 2019 by the Science and Engineering Research Board, India.

"Sobre este t�tulo" puede pertenecer a otra edici�n de este libro.

Descripci�n de la librer�a

Professional Book Seller offering fast shipping and hassle-free returns for every order. Our 100% satisfaction policy guarantees that you get the best product and the best service at the best price!

Ver la p�gina web de la librer�a

Informaci�n empresarial del vendedor

Basi6 International LLC
1018 Camino Lago, Irving, TX, 75039, U.S.A.

Condiciones de venta y env�o

Condiciones de venta

Professional Book Seller shipping from Multiple Locations Worldwide for fastest delivery possible!

Derecho al desistimiento

Si es un consumidor, puede rescindir el contrato de acuerdo con lo siguiente. Por consumidor se entiende cualquier persona f�sica que act�e con fines ajenos a su actividad comercial, empresarial, oficio o profesi�n.

Informaci�n sobre el derecho de desistimiento

Derecho legal de desistimiento

Tiene derecho a rescindir este contrato en un plazo de 14 d�as sin dar ning�n motivo.

El periodo de desistimiento vencer� a los 14 d�as desde que usted, o un tercero que no sea el transportista e indicado por usted, adquiera la posesi�n f�sica del �ltimo bien o del �ltimo lote o pieza.

Para ejercer el derecho de desistimiento, complete de forma electr�nica y env�e una declaraci�n clara en nuestro sitio web, desde "Mis compras" en "Mi cuenta". Le enviaremos sin demora un acuse de recibo de dicho desistimiento a trav�s de un soporte duradero (por ejemplo, por correo electr�nico).

Para cumplir con el plazo de desistimiento, basta con que env�e su comunicaci�n relativa al ejercicio del derecho de desistimiento antes de que venza el periodo de desistimiento.

Efectos del desistimiento

Si rescinde este contrato, le reembolsaremos todos los pagos que hayamos recibido de usted, incluidos los gastos de env�o (excepto los gastos adicionales que surjan si elige un tipo de env�o que no sea el tipo de env�o est�ndar m�s econ�mico que ofrecemos).

Podemos hacer una deducci�n del reembolso por la p�rdida de valor de cualquier bien suministrado, si la p�rdida es el resultado de una manipulaci�n innecesaria por su parte.

Efectuaremos el reembolso sin demoras indebidas y, a m�s tardar, 14 d�as despu�s de que se nos informe de su decisi�n de rescindir este contrato.

Efectuaremos el reembolso utilizando el mismo medio de pago que utiliz� para la transacci�n inicial, a menos que haya acordado expresamente lo contrario; en cualquier caso, no incurrir� en ning�n cargo como resultado de dicho reembolso.

Podremos retener el reembolso hasta que hayamos recibido los bienes o hasta que nos haya presentado una prueba de que los ha devuelto, lo que ocurra primero.

Deber� devolver los bienes o entregarlos a Basi6 International, Irving, Texas, U.S.A., sin demoras indebidas y, en cualquier caso, en un plazo m�ximo de 14 d�as a partir del d�a en que nos comunique su desistimiento del presente contrato. El plazo se cumple si devuelve la mercanc�a antes de que venza el periodo de 14 d�as. Tendr� que asumir los gastos directos de devoluci�n de los bienes. Usted solo es responsable de la disminuci�n del valor de los bienes como resultado de una manipulaci�n distinta a la necesaria para establecer la naturaleza, las caracter�sticas y el funcionamiento de los bienes.

Excepciones al derecho de desistimiento

El derecho de desistimiento no se aplica a lo siguiente:

La entrega de peri�dicos, diarios o revistas, con la excepci�n de los contratos de suscripci�n; y
El suministro de contenido digital que no se proporcione en un soporte tangible (por ejemplo, en un CD o DVD) si, al hacer el pedido, acept� que pod�amos empezar a entregarlo y que no podr�a desistir una vez iniciada la entrega.

Condiciones de env�o

All orders shipped via FedEx or DHL and delivered to your doorstep within 3-5 days. We do not ship to P.O.Boxes and a proper street address must be provided to avoid any delays.

Tarifas de env�o en Estados Unidos de America

Tarifas de env�o en Estados Unidos de America
Cantidad del pedido	De 5 a 14 d�as h�biles	De 3 a 6 d�as h�biles
Primer art�culo	EUR 0.00	EUR 0.00

Los plazos de entrega los establecen los vendedores y var�an seg�n el transportista y la ubicaci�n. Los pedidos que pasan por la aduana pueden sufrir retrasos y los compradores son responsables de los aranceles o tarifas asociadas. Los vendedores pueden ponerse en contacto con usted en relaci�n con cargos adicionales para cubrir cualquier aumento en los costes de env�o de los art�culos.

Informaci�n detallada sobre el vendedor