Functionalized InN ISFET for DNA Hybridization Detection

Idioma: inglés

Editorial: ¿¿¿¿¿¿¿ Sep 2015, 2015

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Ultrathin (10 nm) InN ion sensitive field effect transistors (ISFETs) with gate region modified with 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (MPTMS) by molecular vapor deposition (MVD) are used to detect hybridization of deoxyribonucleic acid (DNA). The ultrathin InN ISFETs have a high sensitivity and short response time for anion detection, showing a great potential for chemical and biological sensing applications. A drain-source current decrease(~6 uA) was observed due to the attachment of negatively charged DNA. For a 12-mer oligonucleotide probe, the detection of 1 nM target DNA was accomplished, while the noncomplementary DNA with one base mismatch did not show any obvious current variation. 108 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783639819212

Título
Functionalized InN ISFET for DNA Hybridization Detection
Autor
Lin Cheng-Yi
Editorial
¿¿¿¿¿¿¿ Sep 2015
Año de publicación
2015
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3639819217
ISBN 13
9783639819212
Peso del artículo
179 gramos
Dimensiones
220x150x7 mm

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