Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses

Idioma: inglés

Editorial: Springer Nature Singapore Okt 2018, 2018

9811325340 / 9789811325342

Serie: Libro 511 de 797 - Springer Theses

Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This thesis describes an investigation into homogeneous KN crystalline films grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, amorphous KN films grown on TiN/Si substrates using the RF-sputtering method, and the ferroelectic and piezoelectric properties of these KN films. KNbO3 (KN) thin films have been extensively investigated for applications in nonlinear optical, electro-optical and piezoelectric devices. However, the electrical properties of KN films have not yet been reported, because it is difficult to grow stoichiometric KN thin films due to K2O evaporation during growth.This thesis also reports on the ReRAM properties of a biocompatible KN ReRAM memristor powered by the KN nanogenerator, and finally shows the biological synaptic properties of the KN memristor for application to the artificial synapse of a neuromorphic computing system. 120 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9789811325342

Título
Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses
Autor
Tae-Ho Lee
Editorial
Springer Nature Singapore Okt 2018
Año de publicación
2018
Estado
Neu
Encuadernación
Buch
Idioma
inglés
ISBN 10
9811325340
ISBN 13
9789811325342
Peso del artículo
354 gramos
Dimensiones
241x160x13 mm
Serie
Libro 511 de 797: Springer Theses

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