Flux Profile Modeling using Monte Carlo Simulation

Idioma: inglés

Editorial: LAP LAMBERT Academic Publishing Jun 2010, 2010

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a process by which semiconductor films are grown on the substrate by physical vapor deposition of the source material in an ultra high vacuum environment. Spatial variations in flux are a result of the shape of the crucible and the geometry of the growth chamber. A process simulation tool for MBE based on a phenomenological model is proposed and elaborated. The tool can be used in industry to simulate the effusion and deposition of molecular beams by taking into account different parameters that influence the process. Additionally, it can generate deposition profiles created by effusing flux species, on the platen containing the wafers. 104 pp. Englisch.

Título
Flux Profile Modeling using Monte Carlo Simulation
Autor
Ramprasad Vijayagopal
Editorial
LAP LAMBERT Academic Publishing Jun 2010
Año de publicación
2010
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3838369386
ISBN 13
9783838369389
Peso del artículo
173 gramos
Dimensiones
220x150x7 mm

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