Descripción
23 cm 265 seiten. Kunsteinband mit OU. starke gebrauchsspuren, Seiten papiergebräunt,seiten an den rändern teils etwas wellig, gegebenfalls wasserschaden, ou mit stärkeren läsuren. (BR70). ".dem weiteren Ausbau des Nachrichtenwesens in der Deutschen Demokratischen Republik wird in dem Oesetz über den Siebenjahrplan besondere Aufmerksamkeit gewidmet. Ahnlieh wie auf allen anderen Gebieten unserer Wirtschaft gilt es auch hier, durch Anwendung der neuesten Technik die Leistungen zu steigern und die Wirtschaftlichkeit zu erhöhen. Die neueste Technik im Nachrichtenwesen ist untrennbar verbunden mit der weiteren Entwicklung und der steigenden Anwendung des Transistors, eines Bauelementes, dessen technische und ökonomische Bedeutung in den letzten Jahren immer deutlicher geworden ist. Es ist deshalb dringend notwendig, neben den bis jetzt in den Fachzeitschriften verstreut erschienenen Abhandlungen über Tcilproblcmc der Transistortechnik eine ausführliche Zusammenfassung aller Gesichtspunkte und Faktoren, die bei der Anwendung der Transistoren zu beachten sind, herauszugeben. Das Buch soll ein Beitrag zur Lösung dieser Aufgabe sein.Entsprechend der Entwicklung der Transistortechnik in aller Welt, die vom Niederfrequenztransistor kleiner Leistung über solche höherer Leistungzum HF-Transistor führte, verläuft auch die Ent wicklung in der Deutschen Demokratischen Republik. Aus diesem Grunde umfaßt dieser Band hauptsächlich die praktische Anwendung ' des Flächentransistors in der NF-Technik. In Anbetracht der Bedeutung des Transverters erschien es jedoch zweckmäßig, auch einen Abschnitt über die Anwendungsmöglichkeit des Transistors im Transverter beizufügen. Der Leitungs- und Verstärkungsmechanismus der Halbleiter (Korpuskulardarstellung). Definition der Halbleiter. Kristallstruktur des Germaniums . Eigenleitung (i-Leitung) Elektronen und Löcher. Rekombination und Lebensdauer. Beweglichkeit der Ladungsträger. Störstellen leitung . p-Leitung. n-Leitung Einfluß der i-Leitung. Kompensation, Majoritätsträger und Minoritätsträger. pn-Verbindung (Flächengleichrichter) . Die statischen Vorgänge in der pn-Übergangszone Die Sperrichtung. Die Durchlaßrichtung. Die Trägerinjektion. Prinzipieller Aufbau und statisches Verhalten . Die Verstärkerwirkung. Der Kollektorgleichrichter Der Emittergleichrichter,Der Verstärkungsvorgang Die Kenngrößen des Transistors in Basisschaltung Das Kennlinienfeld Ic =f{Uc//) mit I£ als Parameter. Der Temperatureinfluß auf die Kennlinien. Der Stromverstärkungsfaktor Die Leerlaufspannungsverstärkung . Die Leistungsverstärkung Die a-Grenzfrequenz. Die Rückwirkung. Die Steuerleistung. Halbleiteiverstärker., Geschichte und Perspektive ,Spitzentransistoren.,Legierungstransistoren.,Gezogene Transistoren,Barrier-TransistorenDiffusionstransistoren. LeistungstransistorenAndere Halbleiterverstärker oder TransistorabartenField-Effect-TransistorSpacistor.Tecnetron.Kennwertdarstellung, Kennlinien und Verstärkereigenschaften für Kleinsignal-Niederfrequenzverstärkung .Der Transistor als aktiver linearer Vierpol .Berechnung der VerstärkereigenschaftenDie drei Grundschaltungsarten des TransistorsDas Verhalten der GrundschaltungsartenDie Kennlinien des TransistorsKenndatenangaben der Hersteller.Das Prüfen und Messen von FlächentransistorenDas Prüfen der Funktionsfähigkeit.Kollektorreststrom,Stromverstärkung.Transistorprüfgerät.Das Messen der Vierpolparameter.Brückenverfahren .Einfache MeßverfahrenMeßanordnungen mit Hilfsgerät.Hinweise für die praktische Ausführung.NF-Verstärker für Kleinsignalverstärkung.Allgemeines über das Dimensionieren ein- und mehrstufiger Verstärker.übertragergekoppelte Stufen.Emitterstufen.RauschenDimensionierung eines zweistufigen, RC-gekoppolten Mikrofonverstürkers für Meßzwecke.KollektorstufenBeispiel für eine Impedanzwandler-Schaltung .Gegenkopplung .Allgemeines zur Gegenkopplung .Dynamische Gegenkopplung.Beispiele für gegengekoppelte Emitterstufen .
N° de ref. del artículo 592132941
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