T�tulo: Field-Effect Transistors Technology: From Sustainability to Next-Generation VLSI Design
Editor: CRC Press
Fecha de publicaci�n: 2025
Idioma: Ingl�s
ISBN 10: 1032876077
ISBN 13: 9781032876078
Encuadernaci�n: Encuadernaci�n de tapa dura
Estado: New

Acerca de

Sinopsis

The text provides a comprehensive exploration of the transitions occurring in the field-effect transistor technology, covering the historical evolution, current advancements, and future trends.

Features

Highlights the significance of field-effect transistors in VLSI and post-complementary metal-oxide-semiconductor design strategies.
Discusses design challenges, different modeling aspects of field-effect transistors, and emerging materials in semiconductor design.
Showcases the importance of simulation in forecasting device behavior, enhancing performance, and investigating novel device designs.
Covers topics such as quantum computing, device simulation process on technology computer-aided design, carbon nanotubes, and organic field-effect transistors.

The text is primarily written for senior undergraduates, graduate students, and academic researchers in the fields of electrical engineering, electrical and communications engineering, materials science, nanoscience, and nanotechnology.

Acerca del autor

Ashish Raman works as an associate professor, in the Department of Electronics and Communication Engineering, at Dr. B R Ambedkar National Institute of Technology Jalandhar Punjab, India. His main areas of interest are electronic devices and circuits, device modeling, device design and simulation, MEMS, and high-power devices. He has contributed research articles/papers to SCI, Scopus, and other reputed journals like IEEE Transactions of Electron Devices, IEEE Transactions on Nanotechnology, Elsevier, and Springer journals, and at international conferences. He is a member of the IEEE Electron Devices Society, the IEEE Solid-State Circuits Society, and the Institution of Engineers Society, India.

Prabhat Singh has been a Postdoctoral Fellow scholar, in the School of Electrical and Computer Sciences, at Indian Institute of Technology, Bhubaneswar, Odisha, India. His expertise is in cryogenic CMOS, solid-state devices, analog complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuits, nanoscale device design, and simulation. He has contributed research articles/papers to SCI, Scopus, and reputed journals.

Naveen Kumar is a post-doctoral research associate, in the Device Modelling Group, James Watt School of Engineering, at the University of Glasgow, United Kingdom. His research revolves around different semiconductor devices including ultra-scale FETs, solar cells, photodiodes, HEMT, and quantum dots, and their prospective applications. He has authored/co-authored more than 35 research articles/ papers in reputed international journals and conference proceedings. His main areas of research interest include semiconductor device physics, MEMS/NEMS, and spintronics.

Sarabdeep Singh is currently working as an assistant professor, in the Department of Electronics and Communications Engineering, at Model Institute of Engineering and Technology, Jammu, India. His current research interests are microelectronics, sensors, and semiconductor devices focusing on Nanowire FETs, IMOS FETs, and Negative-Capacitance FETs. He has, to his credit, over twenty research papers published in national and international journals.

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Podremos retenerte el reembolso hasta haber recibido los bienes, o hasta que hayas presentado una prueba de la devoluci�n de los mismos, seg�n qu� condici�n se cumpla primero. Deber�s devolvernos o entregarnos directamente los bienes a Biblios, 47 Kaisetstrasse, 60329, frankfurt am main, Germany, sin ninguna demora indebida y, en cualquier caso, a m�s tardar en el plazo de 14 d�as naturales a partir de la fecha en que nos comuniques tu decisi�n de desistimiento del contrato. Se considerar� cumplido el plazo si efect�as la devoluci�n de los bienes antes de que haya concluido dicho plazo. Deber�s asumir el coste directo de devoluci�n de los bienes. Solo ser�s responsable de la disminuci�n de valor de los bienes resultante de una manipulaci�n distinta a la necesaria para establecer la naturaleza, las caracter�sticas y el funcionamiento de los bienes.

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