Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom

Idioma: alemán

Editorial: Verlag Unser Wissen Apr 2023, 2023

6205915243 / 9786205915240

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet. 56 pp. Deutsch.

N° de ref. del artículo 9786205915240

Título
Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom
Autor
Rajan Prasad Tripathi
Editorial
Verlag Unser Wissen Apr 2023
Año de publicación
2023
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
alemán
ISBN 10
6205915243
ISBN 13
9786205915240
Peso del artículo
102 gramos
Dimensiones
220x150x4 mm

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