nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Electrostatic discharge (ESD) is one of the most prevalent threats to electronic components. In an ESD event, a finite amount of charge is transferred from one object (i.e., human body) to another (i.e., microchip). This process can result in a very high current passing through the microchip within a very short period of time. Thus, more than 35 percent of single-event chip damages can be attributed to ESD events, and designing ESD structures to protect integrated circuits against the ESD stresses is a high priority in the semiconductor industry.Electrostatic Discharge Protection: Advances and Applications delivers timely coverage of component- and system-level ESD protection for semiconductor devices and integrated circuits. Bringing together contributions from internationally respected researchers and engineers with expertise in ESD design, optimization, modeling, simulation, and characterization, this book bridges the gap between theory and practice to offer valuable insight into the state of the art of ESD protection.Amply illustrated with tables, figures, and case studies, the text:Instills a deeper understanding of ESD events and ESD protection design principlesExamines vital processes including Si CMOS, Si BCD, Si SOI, and GaN technologiesAddresses important aspects pertinent to the modeling and simulation of ESD protection solutionsElectrostatic Discharge Protection: Advances and Applications provides a single source for cutting-edge information vital to the research and development of effective, robust ESD protection solutions for semiconductor devices and integrated circuits.

N� de ref. del art�culo 9781482255881

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Detalles bibliogr�ficos

T�tulo: Electrostatic Discharge Protection : Advances and Applications
Editor: CRC Press
Fecha de publicaci�n: 2015
Idioma: Ingl�s
ISBN 10: 148225588X
ISBN 13: 9781482255881
Encuadernaci�n: Buch
Edici�n: 2� Edici�n
Estado: Neu
Dimensiones: 240�mil�metros de ancho por 161 de alto por 22 de largo
Peso: 649 gramos

Acerca de

Sinopsis

Electrostatic discharge (ESD) is one of the most prevalent threats to electronic components. In an ESD event, a finite amount of charge is transferred from one object (i.e., human body) to another (i.e., microchip). This process can result in a very high current passing through the microchip within a very short period of time. Thus, more than 35 percent of single-event chip damages can be attributed to ESD events, and designing ESD structures to protect integrated circuits against the ESD stresses is a high priority in the semiconductor industry.

Electrostatic Discharge Protection: Advances and Applications delivers timely coverage of component- and system-level ESD protection for semiconductor devices and integrated circuits. Bringing together contributions from internationally respected researchers and engineers with expertise in ESD design, optimization, modeling, simulation, and characterization, this book bridges the gap between theory and practice to offer valuable insight into the state of the art of ESD protection.

Amply illustrated with tables, figures, and case studies, the text:

Instills a deeper understanding of ESD events and ESD protection design principles
Examines vital processes including Si CMOS, Si BCD, Si SOI, and GaN technologies
Addresses important aspects pertinent to the modeling and simulation of ESD protection solutions

Electrostatic Discharge Protection: Advances and Applications provides a single source for cutting-edge information vital to the research and development of effective, robust ESD protection solutions for semiconductor devices and integrated circuits.

Acerca del autor

Juin J. Liou received his BS (honors), MS, and Ph.D in electrical engineering from the University of Florida, Gainesville, in 1982, 1983, and 1987, respectively. In 1987, he joined the University of Central Florida (UCF), Orlando, where he is now Pegasus distinguished professor, Lockheed Martin St. Laurent professor, and UCF-Analog Devices fellow. Highly decorated and widely published, Dr. Liou holds eight US patents (with five more pending) and several honorary professorships. He is a fellow of IEEE, IET, and Singapore Institute of Manufacturing Technology, and a distinguished lecturer in the IEEE Electron Device Society and National Science Council.

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Informaci�n sobre el derecho de desistimiento

Derecho legal de desistimiento

Tiene derecho a rescindir este contrato en un plazo de 14 d�as sin dar ning�n motivo.

El periodo de desistimiento vencer� a los 14 d�as desde que usted, o un tercero que no sea el transportista e indicado por usted, adquiera la posesi�n f�sica del �ltimo bien o del �ltimo lote o pieza.

Para ejercer el derecho de desistimiento, complete de forma electr�nica y env�e una declaraci�n clara en nuestro sitio web, desde "Mis compras" en "Mi cuenta". Le enviaremos sin demora un acuse de recibo de dicho desistimiento a trav�s de un soporte duradero (por ejemplo, por correo electr�nico).

Para cumplir con el plazo de desistimiento, basta con que env�e su comunicaci�n relativa al ejercicio del derecho de desistimiento antes de que venza el periodo de desistimiento.

Efectos del desistimiento

Si rescinde este contrato, le reembolsaremos todos los pagos que hayamos recibido de usted, incluidos los gastos de env�o (excepto los gastos adicionales que surjan si elige un tipo de env�o que no sea el tipo de env�o est�ndar m�s econ�mico que ofrecemos).

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Efectuaremos el reembolso sin demoras indebidas y, a m�s tardar, 14 d�as despu�s de que se nos informe de su decisi�n de rescindir este contrato.

Efectuaremos el reembolso utilizando el mismo medio de pago que utiliz� para la transacci�n inicial, a menos que haya acordado expresamente lo contrario; en cualquier caso, no incurrir� en ning�n cargo como resultado de dicho reembolso.

Podremos retener el reembolso hasta que hayamos recibido los bienes o hasta que nos haya presentado una prueba de que los ha devuelto, lo que ocurra primero.

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