Electronic properties of semiconductor interfaces : with 17 tables. (=Springer series in surface sciences ; 43).
Idioma: inglés
Editorial: Berlin, Springer, 2004
- Tapa dura
- Usado
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- Título
- Electronic properties of semiconductor interfaces : with 17 tables. (=Springer series in surface sciences ; 43).
- Autor
- Mönch, Winfried:
- Editorial
- Berlin, Springer
- Año de publicación
- 2004
- Estado
- Wie neu
- Encuadernación
- Hardcover
- Idioma
- inglés
- ISBN 10
- 3540202153
- ISBN 13
- 9783540202158
- Peso del artículo
- 780 gramos
- Serie
- Libro 10 de 30: Springer Series in Surface Sciences
- Catálogos de vendedores
- Physik
Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling?s electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.
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De la contraportada
Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first monograph that treats the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface induced gap states (IFIGS) as the unifying concept, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling s electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.
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