Design, Simulation and Construction of Field Effect Transistors

Idioma: inglés

Editorial: Intechopen Jul 2018, 2018

1789234166 / 9781789234169

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In recent years, research on microelectronics has been specifically focused on the proposition of efficient alternative methodologies and materials to fabricate feasible integrated circuits. This book provides a general background of thin film transistors and their simulations and constructions. The contents of the book are broadly classified into two topics: design and simulation of FETs and construction of FETs. All the authors anticipate that the provided chapters will act as a single source of reference for the design, simulation and construction of FETs. This edited book will help microelectronics researchers with their endeavors and would be a great addition to the realm of semiconductor physics. 166 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9781789234169

Título
Design, Simulation and Construction of Field Effect Transistors
Autor
Dhanasekaran Vikraman
Editorial
Intechopen Jul 2018
Año de publicación
2018
Estado
Neu
Encuadernación
Buch
Idioma
inglés
ISBN 10
1789234166
ISBN 13
9781789234169
Peso del artículo
579 gramos
Dimensiones
266x185x16 mm

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