Defects and Properties of Semiconductors

Idioma: inglés

Editorial: Springer Netherlands Dez 2011, 2011

9401086168 / 9789401086165

  • Tapa blanda
  • Nuevo
Ver todos los detalles

Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Vendedor de 5 estrellas

Vendedor de IberLibro desde 11 de enero de 2012

Tapa blanda

Condición: Nuevo

EUR 74,89

Envío por EUR 23,00 
Se envía de Alemania a Estados Unidos de America

Cantidad disponible: 2 disponibles

Añadir al carrito
Devoluciones gratuitas de 30 días

Descripción del artículo del vendedor

This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This volume contains nearly all of the papers presented at the Symposium on 'Defects and Qualities of Semiconductors' which was held in Tokyo on May 17-18, 1984, under the sponsorship of the SOCIETY OF NON-TRADITIONAL TECHNOLOGY. The Symposium was organized by the promoting committee of the research project 'Quality Developement of Semiconductors by Utilization of Crystal Defects' sponsored by the Science and Technology Agency of Japan. Defect study in semiconductor engineering started originally with seeking methods how to suppress generation of harmful defects during device processing in order to achieve a high yield of device fabrication. Recently, a new trend has appeared in which crystal defects are positively utilized to improve the device performance and reliability. A typical example is the intrinsic gettering technique for Czochralski silicon. Thus, a new term 'DEFECT ENGINEERING' was born. It is becoming more important to control density and distribution of defects than to eliminate all the defects. Very precise and deep knowledge on defects is required to establish such techniques as generation and development of defects desired depending on type of devices and degree of integration. Electrical, optical and mechanical effects of defects should be also understood correctly. Such knowledge is essential even for eliminating defects from some specified device regions. It is the time now to investigate defect properties and defect kinetics in an energetic way. From this point of view, all the speakers in this symposium were invited among the most active investigators in the field of defect engineering in Japan. 272 pp. Englisch.…

N° de ref. del artículo 9789401086165

Título
Defects and Properties of Semiconductors
Autor
J. Chikawa
Editorial
Springer Netherlands Dez 2011
Año de publicación
2011
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
9401086168
ISBN 13
9789401086165
Peso del artículo
399 gramos
Dimensiones
229x152x15 mm

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Bergisch Gladbach, Alemania

Vendedor de 5 estrellas

Vendedor de IberLibro desde 11 de enero de 2012

Tarifas de envío de Alemania a Estados Unidos de America

ArtículoDe 5 a 15 días hábilesDe 5 a 15 días hábiles
Primer artículoEUR 23,00EUR 23,00
Los plazos de entrega los establecen los vendedores y varían según el transportista y la ubicación. Los pedidos que pasan por la aduana pueden sufrir retrasos y los compradores son responsables de los aranceles o tarifas asociadas. Los vendedores pueden ponerse en contacto con usted en relación con cargos adicionales para cubrir cualquier aumento en los costes de envío de los artículos.

Métodos de pago

  • Visa
  • Mastercard
  • American Express
  • Carte Bleue
  • Apple Pay
  • Google Pay
  • Cheque
  • Giro bancario
  • PayPal

Información empresarial del vendedor

BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

Alemania