Conception de SRAM dans les technologies nanométriques

Idioma: francés

Editorial: Editions Notre Savoir Dez 2023, 2023

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Dans la conception de VLSI, où une amélioration de la tension d'alimentation minimale et un changement de quelques Pico secondes d'accès à la mémoire ou de temps de cycle auront un impact important sur les performances des conceptions de SoC. La capacité d'écriture et la stabilité de lecture de la cellule SRAM sont une préoccupation majeure à faible tension d'alimentation, ainsi que pour les variations de processus, de tension et de température. Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération d'écriture ne sera pas effectuée car la cellule ne basculera pas aux niveaux de tension souhaités. Un circuit d'assistance à l'écriture utilisant une technique de tension de ligne de bit négative qui peut aider la cellule SRAM à basculer aux niveaux de tension souhaités et assister l'opération d'écriture est proposé pour réduire les échecs d'écriture à faible tension d'alimentation.Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération de lecture ne sera pas effectuée dans la cellule sélectionnée et les données stockées dans la cellule seront perturbées dans les cellules non sélectionnées. La technique proposée de circuit d'assistance à la lecture à faible tension d'alimentation empêche les données d'être perturbées dans les cellules non sélectionnées et assiste également l'opération de lecture dans la cellule sélectionnée.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 128 pp. Französisch.…

N° de ref. del artículo 9786206905721

Detalles bibliográficos

Título
Conception de SRAM dans les technologies nanométriques
Autor
Pulla Reddy A.
Editorial
Editions Notre Savoir Dez 2023
Año de publicación
2023
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
francés
ISBN 10
6206905721
ISBN 13
9786206905721
Peso del artículo
209 gramos
Dimensiones
220x150x9 mm

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