T�tulo: Classical to Quantum Transport in Multi-Dimensional Field Effect Transistors
Editor: CRC Press
Fecha de publicaci�n: 2025
Idioma: Ingl�s
ISBN 10: 1032895799
ISBN 13: 9781032895796
Encuadernaci�n: Encuadernaci�n de tapa dura
Estado: New

Acerca de

Sinopsis

Classical to Quantum Transport in Multi‑Dimensional Field Effect Transistors offers a wide range of topics with attractive images and informative explanations. It begins with an exploration of the fundamentals of field effect transistor (FET) functioning, emphasizing how behavior is governed by classical models. As the semiconductor industry pushes the boundaries of miniaturization and performance, Multi-Dimensional Field Effect Transistors (MuDFETs) and emerging material platforms are redefining the foundations of modern electronics. This book offers a deep and insightful journey through the evolving landscape of advanced FET architectures―from classical conduction models to quantum and ballistic transport regimes. Authored by experts across academia and research institutions, this book offers in-depth discussions on:

Multi-Dimensional and Junctionless FETs: Design innovations enabling superior control, scaling, and performance
2D Materials & Transition Metal Dichalcogenides (TMDCs): Harnessing atomically thin semiconductors for next‑generation device engineering
Nanosheet Transistors: Unlocking new dimensions in charge transport and quantum confinement
Charge transport mechanisms from classical, semiclassical to ballistic regimes in nanosheet and nanowire FETs
Tunnel Field Effect Transistor (TFET)-Based Biosensors: Cutting-edge developments in label‑free, ultra-sensitive detection for healthcare and environmental monitoring
Integration of FET platforms in nonlinear and quantum photonics using silicon nitride waveguides

Whether you’re exploring the quantum limits of device physics or developing real-world sensing solutions, this collection bridges theory and application in one compelling volume. With contributions from leading researchers and technologists, this book serves as a vital reference for academics, graduate students, and professionals working in nanoelectronics, semiconductor devices, biosensors, and photonic field.

Acerca del autor

Naveen Kumar received his PhD from the Dr. B. R. Ambedkar National Institute of Technology, Jalandhar, India. Dr. Kumar is a postdoctoral research associate in DMG in the Electronic and Nanoscale Engineering Division, University of Glasgow. His research revolves around different semiconductor devices including ultra-scaled FETs, solar cells, photodiodes, HEMT, quantum dots, and their prospective applications. His main areas of research interest include semiconductor device physics, MEMS/NEMS, and spintronics.

Prateek Kumar received his PhD from the University of Delhi, India. Dr. Kumar is a postdoctoral research associate and the Chair for Electronic Devices and Integrated Circuits, Technical University of Dresden, Germany. His research includes next-generation SiGe HBTs, feedback FETs, and graphene-based transistors with special emphasis on quantum and semi-classical transport. His main areas of research interest include semiconductor device physics, MEMS/NEMS, and spintronics.

Ankit Dixit received his Ph.D. in Electronics and Communication Engineering from the Indian Institute of Information Technology, Design, and Manufacturing, Jabalpur, India. He carried out his research on III-V materials for the application of low-power devices and biosensor applications. Dr. Dixit is working as a research associate in the DeepNano Group, University of Glasgow, Scotland, where he is responsible for conducting research on nanoelectronics device simulations and variability analysis for novel devices.

Prabhat Singh received his PhD from the National Institute of Technology, Hamirpur, Himachal Pradesh, India. Dr. Singh is a postdoctoral research associate in the School of Electrical and Computer Science at IIT Bhubaneswar, Odisha. His research revolves around different semiconductor devices including cryogenic CMOS, ultra-scaled FETs, solar cells, quantum dots, and their prospective applications. His main areas of research interest include semiconductor device physics, solid-state devices, analog complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuits, and nanoscale device design and simulation.

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Tienes derecho a desistir del presente contrato en un plazo de 14 d�as naturales sin necesidad de justificaci�n.

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Para ejercer el derecho de desistimiento, deber�s notificarnos a Majestic Books, 315 Chiswick High Road, W4 4HH, London, ,, United Kingdom, +44 02085704746, de tu decisi�n de desistir del contrato a trav�s de una declaraci�n inequ�voca (por ejemplo, una carta enviada por correo postal, fax o correo electr�nico). Podr�s utilizar el modelo de formulario de desistimiento que figura a continuaci�n, aunque su uso no es obligatorio. Tienes asimismo la opci�n de cumplimentar y enviar electr�nicamente el modelo de formulario de desistimiento o cualquier otra declaraci�n inequ�voca a trav�s de nuestro sitio web a "Mis pedidos" en "Mi cuenta". Si recurres a esta opci�n, te comunicaremos sin demora en un soporte duradero (por ejemplo, por correo electr�nico) la recepci�n de dicho desistimiento.

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Podremos retenerte el reembolso hasta haber recibido los bienes, o hasta que hayas presentado una prueba de la devoluci�n de los mismos, seg�n qu� condici�n se cumpla primero. Deber�s devolvernos o entregarnos directamente los bienes a Majestic Books, 315 Chiswick High Road, W4 4HH, London, ,, United Kingdom, +44 02085704746, sin ninguna demora indebida y, en cualquier caso, a m�s tardar en el plazo de 14 d�as naturales a partir de la fecha en que nos comuniques tu decisi�n de desistimiento del contrato. Se considerar� cumplido el plazo si efect�as la devoluci�n de los bienes antes de que haya concluido dicho plazo. Deber�s asumir el coste directo de devoluci�n de los bienes. Solo ser�s responsable de la disminuci�n de valor de los bienes resultante de una manipulaci�n distinta a la necesaria para establecer la naturaleza, las caracter�sticas y el funcionamiento de los bienes.

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