Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

Idioma: inglés

Editorial: Springer, Springer Nov 2017, 2017

9811065497 / 9789811065491

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Provides analytical models for lateral electric field and length of velocity saturation region of graphene nanoribbon based field effect transistors (GNR-based FETs)Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 96 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9789811065491

Título
Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor
Autor
Iraj Sadegh Amiri
Editorial
Springer, Springer Nov 2017
Año de publicación
2017
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
9811065497
ISBN 13
9789811065491
Peso del artículo
180 gramos
Dimensiones
235x155x6 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Alemania

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