Analysis and Simulation of Heterostructure Devices

Idioma: inglés

Editorial: Springer Vienna Dez 2012, 2012

3709171938 / 9783709171936

Serie: Libro 15 de 17 - Computational Microelectronics

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices. 324 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9783709171936

Título
Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Autor
Rüdiger Quay
Editorial
Springer Vienna Dez 2012
Año de publicación
2012
Estado
Neu
Encuadernación
Taschenbuch
Idioma
inglés
ISBN 10
3709171938
ISBN 13
9783709171936
Peso del artículo
493 gramos
Dimensiones
235x155x18 mm
Serie
Libro 15 de 17: Computational Microelectronics

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