Analysis and Design of MOSFETs

Idioma: inglés

Editorial: Springer US Sep 1998, 1998

0412146010 / 9780412146015

Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AlemaniaBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers. Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology. 372 pp. Englisch.

N° de ref. del artículo 9780412146015

Título
Analysis and Design of MOSFETs
Autor
Juin Jei Liou
Editorial
Springer US Sep 1998
Año de publicación
1998
Estado
Neu
Encuadernación
Buch
Idioma
inglés
ISBN 10
0412146010
ISBN 13
9780412146015
Peso del artículo
723 gramos
Dimensiones
241x160x25 mm

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