Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors

Idioma: inglés

Editorial: Springer, 2007

3540714901 / 9783540714903

Serie: Libro 13 de 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strained-Si CMOS Technology.- High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) Surface.- Advanced High-Mobility Semiconductor-on-Insulator Materials.- Passivation and Characterization of Germanium Surfaces.- Interface Engineering for High- Ge MOSFETs.- Effect of Surface Nitridation on the Electrical Characteristics of Germanium High- /Metal Gate Metal-Oxide-Semiconductor Devices.- Modeling of Growth of High- Oxides on Semiconductors.- Physical, Chemical, and Electrical Characterization of High- Dielectrics on Ge and GaAs.- Point Defects in Stacks of High- Metal Oxides on Ge: Contrast with the Si Case.- High Gate Dielectrics for Compound Semiconductors.- Interface Properties of High- Dielectrics on Germanium.- A Theoretical View on the Dielectric Properties of Crystalline and Amorphous High- Materials and Films.- Germanium Nanodevices and Technology.- Opportunities and Challenges of Germanium Channel MOSFETs.- Germanium Deep-Submicron p-FET and n-FET Devices, Fabricated on Germanium-On-Insulator Substrates.- Processing and Characterization of III-V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics.- Fabrication of MBE High- MOSFETs in a Standard CMOS Flow.…

N° de ref. del artículo 9783540714903

Título
Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Autor
Athanasios Dimoulas
Editorial
Springer
Año de publicación
2007
Estado
Neu
Encuadernación
Buch
Idioma
inglés
ISBN 10
3540714901
ISBN 13
9783540714903
Peso del artículo
724 gramos
Dimensiones
241x160x27 mm
Serie
Libro 13 de 72: Springer Series in Advanced Microelectronics

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