This book consists of four chapters to address at different modeling levels for different nanoscale MOS structures (Single- and Multi-Gate MOSFETs). The collection of these chapters in the book are attempted to provide a comprehensive coverage on the different levels of electrostatics and transport modeling for these devices, and relationships between them. In particular, the issue of quantum transport approaches, analytical predictive 2D/3D modeling and design-oriented compact modeling. It should be of interests to researchers working on modeling at any level, to provide them with a clear explanation of theapproaches used and the links with modeling techniques for either higher or lower levels.
"Sinopsis" puede pertenecer a otra edición de este libro.
This book consists of four chapters to address at different modeling levels for different nanoscale MOS structures (Single- and Multi-Gate MOSFETs). The collection of these chapters in the book are attempted to provide a comprehensive coverage on the different levels of electrostatics and transport modeling for these devices, and relationships between them. In particular, the issue of quantum transport approaches, analytical predictive 2D/3D modeling and design-oriented compact modeling. It should be of interests to researchers working on modeling at any level, to provide them with a clear explanation of theapproaches used and the links with modeling techniques for either higher or lower levels.
"Sobre este título" puede pertenecer a otra edición de este libro.
Librería: Basi6 International, Irving, TX, Estados Unidos de America
Condición: Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service. Nº de ref. del artículo: ABEOCT25-264344
Cantidad disponible: 1 disponibles
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Condición: New. Nº de ref. del artículo: 20982253-n
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Condición: New. Nº de ref. del artículo: I-9789814583183
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Condición: As New. Unread book in perfect condition. Nº de ref. del artículo: 20982253
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Condición: As New. Unread book in perfect condition. Nº de ref. del artículo: 20982253
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Condición: New. Nº de ref. del artículo: 20982253-n
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: Revaluation Books, Exeter, Reino Unido
Hardcover. Condición: Brand New. illustrated edition. 195 pages. 9.75x6.75x0.75 inches. In Stock. Nº de ref. del artículo: x-9814583189
Cantidad disponible: 2 disponibles
Librería: moluna, Greven, Alemania
Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. InhaltsverzeichnisMonte-Carlo Simulation of Ultra-Thin Film Silicon on Insulator MOSFETs (F Gamiz, C Sampedro, L Donetti and A Godoy) Analytical Models and Electrical Characterisation of Advanced MOSFETs in the Quasi-Ballistic Regime (R. Nº de ref. del artículo: 599243655
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: preigu, Osnabrück, Alemania
Buch. Condición: Neu. FRONTIERS IN ELECTRONICS | Iniguez Benjamin | Buch | SEL TOP IN ELEC & SYS | Gebunden | Englisch | 2014 | World Scientific | EAN 9789814583183 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand. Nº de ref. del artículo: 135933929
Cantidad disponible: 5 disponibles