Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim: 0 (International Series On Advances In Solid State Electronics And Technology) - Tapa blanda
Sinopsis
This volume provides a timely description of the latest compact Mos transistor models for circuit simulation. The first generation Bsim3 and Bsim4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm Mos transistors. This book discusses the second generation Mos transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the Mos transistor channel in order to give one characterization equation.
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Acerca del autor
Charlotte y Peter Fiell son dos autoridades en historia, teoría y crítica del diseño y han escrito más de sesenta libros sobre la materia, muchos de los cuales se han convertido en éxitos de ventas. También han impartido conferencias y cursos como profesores invitados, han comisariado exposiciones y asesorado a fabricantes, museos, salas de subastas y grandes coleccionistas privados de todo el mundo. Los Fiell han escrito numerosos libros para TASCHEN, entre los que se incluyen 1000 Chairs, Diseño del siglo XX, El diseño industrial de la A a la Z, Scandinavian Design y Diseño del siglo XXI.
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Physics and Modeling of Mosfets : Surface-potential Model Hisim
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