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Three-Dimensional Simulation of Semiconductor Devices (Progress in Numerical Simulation for Microelectronics) - Tapa blanda

 
9783034877329: Three-Dimensional Simulation of Semiconductor Devices (Progress in Numerical Simulation for Microelectronics)

Sinopsis

The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device structures. The evolution of the three-dimensional simulation tools is directly linked to the scaling of the devices and the increasing complex­ ity of dynamic random access memory (DRAM) cells. Scaling of MOSFET devices led to a three-dimensional geometry with effects which cannot be handled by two-dimensional simulations anymore. With increasing integration density in DRAMs the third dimen­ sion had to be utilized to realize the storage capacitor. The result­ ing leakage problems have to be investigated and the cell design optimized by means of three-dimensional simulations. This book is intended for senior undergraduate students in applied physics, electrical engineering and computational physics, as well as for scientists and engineers involved in semiconductor device re­ search and development. It is also intended for software engineers and all those who are concerned with simulation. The book will give an overview on the problems and activities con­ cerning three-dimensional device simulation, without the claim of being a classical textbook. It starts from the classical semiconduc­ tor equations, discusses the physical models used in device simu­ lation, describes the discretization and some numerical methods for solving the differential equations. The application of the three­ dimensional simulation to VLSI device engineering is illustrated by a few specific examples.

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Reseña del editor

The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device structures. The evolution of the three-dimensional simulation tools is directly linked to the scaling of the devices and the increasing complex­ ity of dynamic random access memory (DRAM) cells. Scaling of MOSFET devices led to a three-dimensional geometry with effects which cannot be handled by two-dimensional simulations anymore. With increasing integration density in DRAMs the third dimen­ sion had to be utilized to realize the storage capacitor. The result­ ing leakage problems have to be investigated and the cell design optimized by means of three-dimensional simulations. This book is intended for senior undergraduate students in applied physics, electrical engineering and computational physics, as well as for scientists and engineers involved in semiconductor device re­ search and development. It is also intended for software engineers and all those who are concerned with simulation. The book will give an overview on the problems and activities con­ cerning three-dimensional device simulation, without the claim of being a classical textbook. It starts from the classical semiconduc­ tor equations, discusses the physical models used in device simu­ lation, describes the discretization and some numerical methods for solving the differential equations. The application of the three­ dimensional simulation to VLSI device engineering is illustrated by a few specific examples.

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  • EditorialBirkhäuser
  • Año de publicación2012
  • ISBN 10 3034877323
  • ISBN 13 9783034877329
  • EncuadernaciónTapa blanda
  • IdiomaAlemán
  • Número de páginas132

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Kircher, Roland
Publicado por Birkhauser 12/14/2012, 2012
ISBN 10: 3034877323 ISBN 13: 9783034877329
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Kircher, Roland
Publicado por Birkhäuser, 2012
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Taschenbuch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device structures. The evolution of the three-dimensional simulation tools is directly linked to the scaling of the devices and the increasing complex ity of dynamic random access memory (DRAM) cells. Scaling of MOSFET devices led to a three-dimensional geometry with effects which cannot be handled by two-dimensional simulations anymore. With increasing integration density in DRAMs the third dimen sion had to be utilized to realize the storage capacitor. The result ing leakage problems have to be investigated and the cell design optimized by means of three-dimensional simulations. This book is intended for senior undergraduate students in applied physics, electrical engineering and computational physics, as well as for scientists and engineers involved in semiconductor device re search and development. It is also intended for software engineers and all those who are concerned with simulation. The book will give an overview on the problems and activities con cerning three-dimensional device simulation, without the claim of being a classical textbook. It starts from the classical semiconduc tor equations, discusses the physical models used in device simu lation, describes the discretization and some numerical methods for solving the differential equations. The application of the three dimensional simulation to VLSI device engineering is illustrated by a few specific examples. 124 pp. Deutsch. Nº de ref. del artículo: 9783034877329

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Wolfgang Bergner
Publicado por Birkhäuser Basel, 2012
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Taschenbuch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device structures. The evolution of the three-dimensional simulation tools is directly linked to the scaling of the devices and the increasing complex ity of dynamic random access memory (DRAM) cells. Scaling of MOSFET devices led to a three-dimensional geometry with effects which cannot be handled by two-dimensional simulations anymore. With increasing integration density in DRAMs the third dimen sion had to be utilized to realize the storage capacitor. The result ing leakage problems have to be investigated and the cell design optimized by means of three-dimensional simulations. This book is intended for senior undergraduate students in applied physics, electrical engineering and computational physics, as well as for scientists and engineers involved in semiconductor device re search and development. It is also intended for software engineers and all those who are concerned with simulation. The book will give an overview on the problems and activities con cerning three-dimensional device simulation, without the claim of being a classical textbook. It starts from the classical semiconduc tor equations, discusses the physical models used in device simu lation, describes the discretization and some numerical methods for solving the differential equations. The application of the three dimensional simulation to VLSI device engineering is illustrated by a few specific examples. Nº de ref. del artículo: 9783034877329

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Kircher, Roland/ Bergner, Wolfgang
Publicado por Birkhauser, 2012
ISBN 10: 3034877323 ISBN 13: 9783034877329
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Paperback. Condición: Brand New. reprint edition. 124 pages. German language. 9.02x5.99x0.40 inches. In Stock. Nº de ref. del artículo: x-3034877323

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Kircher, Roland
Publicado por Birkhauser 2012-12, 2012
ISBN 10: 3034877323 ISBN 13: 9783034877329
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Librería: Chiron Media, Wallingford, Reino Unido

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Roland Kircher|Wolfgang Bergner
Publicado por Birkhäuser Basel, 2012
ISBN 10: 3034877323 ISBN 13: 9783034877329
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Librería: moluna, Greven, Alemania

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Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. 1 Introduction.- 2 Basic Physical Models.- 3 Discretization.- 4 Numerical Solution.- 5 Examples.The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device structures. The evolution of the t. Nº de ref. del artículo: 4319176

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Wolfgang Bergner Roland Kircher
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ISBN 10: 3034877323 ISBN 13: 9783034877329
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Bergner Wolfgang Kircher Roland
Publicado por Springer, 2012
ISBN 10: 3034877323 ISBN 13: 9783034877329
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ISBN 10: 3034877323 ISBN 13: 9783034877329
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