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Sinopsis
THIS BOOK REVIEWS RESEARCH ON SINGLE-ELECTRON DEVICES AND CIRCUITS IN SILICON. THESE DEVICES PROVIDE A MEANS TO CONTROL ELECTRONIC CHARGE AT THE ONE-ELECTRON LEVEL AND ARE PROMISING SYSTEMS FOR THE DEVELOPMENT OF FEW-ELECTRON, NANOSCALE ELECTRONIC CIRCUITS. THE BOOK CONSIDERS THE DESIGN, FABRICATION, AND CHARACTERIZATION OF SINGLE-ELECTRON TRANSISTORS, SINGLE-ELECTRON MEMORIES, FEW-ELECTRON TRANSFER DEVICES SUCH AS ELECTRON PUMPS AND TURNSTILES, AND SINGLE-ELECTRON LOGIC DEVICES. A REVIEW OF THE MANY DIFFERENT APPROACHES USED FOR THE EXPERIMENTAL REALISATION OF THESE DEVICES IS PROVIDED AND DEVICES DEVELOPED DURING THE AUTHORS OWN RESEARCH ARE USED AS DETAILED EXAMPLES. AN INTRODUCTION TO THE PHYSICS OF SINGLE-ELECTRON CHARGING EFFECTS IS INCLUDED.SAMPLE CHAPTER(S)CHAPTER 1: INTRODUCTION (31 KB)
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Reseña del editor
This book reviews research on single-electron devices and circuits in silicon. These devices provide a means to control electronic charge at the one-electron level and are promising systems for the development of few-electron, nanoscale electronic circuits. The book considers the design, fabrication, and characterization of single-electron transistors, single-electron memories, few-electron transfer devices such as electron pumps and turnstiles, and single-electron logic devices. A review of the many different approaches used for the experimental realisation of these devices is provided and devices developed during the author's own research are used as detailed examples. An introduction to the physics of single-electron charging effects is included.
Nota de la solapa
This book provides a review of research on single-electron devices and circuits in silicon. It considers the design, fabrication, and characterization of single-electron transistors, single-electron memory devices, few-electron transfer devices such as electron pumps and turnstiles, and single-electron logic devices. In all cases, a review of various device designs is provided, and in many cases, the devices developed during the author's own research work are used as detailed examples. An introduction to the physics of the single-electron charging effects is also provided.
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- EditorialICP
- Año de publicación2009
- ISBN 10 1848164130
- ISBN 13 9781848164130
- EncuadernaciónTapa dura
- IdiomaInglés
- Número de páginas300
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Single-Electron Devices and Circuits in Silicon
Publicado por
Imperial College Press, 2009
ISBN 10: 1848164130
ISBN 13: 9781848164130
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