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Operation and Modelling of the MOS Transistor - Tapa dura

 
9780195170146: Operation and Modelling of the MOS Transistor

Sinopsis

Extensively revised and updated, this, the second edition of the highly praised text Operation and Modeling of The MOS Transistor, has become a standard in academia and industry. The book provides a thorough treatment of the MOS transistor-the key element of most modern microelectronic chips.
KEY FEATURES
.Unified, careful treatment. The book covers in depth the development of many important models, ranging from the simple to the sophisticated, with the connection between models clearly identified. Many aspects of modeling are covered, including: dc, ac, small-signal, large-signal transient, quasi-static, nonquasi-static, and noise.
.Expanded coverage. New material is included on a number of topics, including charge sheet models, small-dimension effects, noise, and modeling for RF applications.
.New chapter on modeling for CAD. A completely new chapter discusses the context, considerations, and pitfalls associated with the development of models for computer-aided design, and describes ways to evaluate them.
.Extensive Bibliography. A thoroughly updated, greatly expanded bibliography is provided."

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Reseña del editor

This is a textbook for advanced semiconductor and microelectronic chip design course that follow the course where Allen/Holberg is used. It provides unified treatment of the operation and modelling of the MOS transistor.

Reseña del editor

Extensively revised and updated, this, the second edition of the highly praised text Operation and Modeling of The MOS Transistor, has become a standard in academia and industry. The book provides a thorough treatment of the MOS transistor-the key element of most modern microelectronic chips.
KEY FEATURES
-Unified, careful treatment. The book covers in depth the development of many important models, ranging from the simple to the sophisticated, with the connection between models clearly identified. Many aspects of modeling are covered, including: dc, ac, small-signal, large-signal transient, quasi-static, nonquasi-static, and noise.
-Expanded coverage. New material is included on a number of topics, including charge sheet models, small-dimension effects, noise, and modeling for RF applications.
-New chapter on modeling for CAD. A completely new chapter discusses the context, considerations, and pitfalls associated with the development of models for computer-aided design, and describes ways to evaluate them.
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  • EditorialOxford University Press
  • Año de publicación2003
  • ISBN 10 0195170148
  • ISBN 13 9780195170146
  • EncuadernaciónTapa dura
  • IdiomaInglés
  • Número de edición2
  • Número de páginas640
  • Contacto del fabricanteno disponible

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9780070655232: Operation and Modelling of the Metal-oxide Semiconductor Transistor

Edición Destacada

ISBN 10:  0070655235 ISBN 13:  9780070655232
Editorial: McGraw-Hill Inc.,US, 1998
Tapa dura

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Tsividis, Yannis
Publicado por Oxford University Press, 2003
ISBN 10: 0195170148 ISBN 13: 9780195170146
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Publicado por Oxford University Press, NY, 1999
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Publicado por Oxford University Press, 2003
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Tsividis, Yannis
Publicado por Oxford University Press, 2003
ISBN 10: 0195170148 ISBN 13: 9780195170146
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