This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.
Dr. Viranjay M. Srivastava is an Assistant Professor at Jaypee University of Information Technology. Dr. Ghanshyam Singh is an Associate Professor at Jaypee University of Information Technology.
"Sobre este título" puede pertenecer a otra edición de este libro.
Gastos de envío:
EUR 45,00
De Alemania a Estados Unidos de America
Gastos de envío:
EUR 3,58
A Estados Unidos de America
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Condición: New. Nº de ref. del artículo: ABLIING23Mar3113020085945
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Condición: New. Nº de ref. del artículo: 20266309-n
Cantidad disponible: 1 disponibles
Librería: Buchpark, Trebbin, Alemania
Condición: Sehr gut. Zustand: Sehr gut - Buchschnitt verkürzt - gepflegter, sauberer Zustand - Ausgabejahr 2014 | Seiten: 216 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher. Nº de ref. del artículo: 24136119/12
Cantidad disponible: 1 disponibles
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Condición: New. PRINT ON DEMAND Book; New; Fast Shipping from the UK. No. book. Nº de ref. del artículo: ria9783319011646_lsuk
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Alemania
Buch. Condición: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition. 216 pp. Englisch. Nº de ref. del artículo: 9783319011646
Cantidad disponible: 2 disponibles
Librería: booksXpress, Bayonne, NJ, Estados Unidos de America
Hardcover. Condición: new. Nº de ref. del artículo: 9783319011646
Cantidad disponible: 3 disponibles
Librería: GreatBookPricesUK, Castle Donington, DERBY, Reino Unido
Condición: New. Nº de ref. del artículo: 20266309-n
Cantidad disponible: 1 disponibles
Librería: moluna, Greven, Alemania
Gebunden. Condición: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides a single-source reference to the latest technologies for the design of Double-gate MOSFET, Cylindrical Surrounding double-gate MOSFET and HFO2 based MOSFETExplains the design of RF switches using the technologies presented and simulates s. Nº de ref. del artículo: 4496070
Cantidad disponible: Más de 20 disponibles
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Buch. Condición: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition. Nº de ref. del artículo: 9783319011646
Cantidad disponible: 1 disponibles
Librería: GreatBookPricesUK, Castle Donington, DERBY, Reino Unido
Condición: As New. Unread book in perfect condition. Nº de ref. del artículo: 20266309
Cantidad disponible: 1 disponibles