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Charge-based Mos Transistor Modeling : The Ekv Model for Low-power And Rf Ic Design
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 130,55
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Charge-based Mos Transistor Modeling : The Ekv Model for Low-power And Rf Ic Design
Librería: GreatBookPrices, Columbia, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 134,00
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Charge-based Mos Transistor Modeling : The Ekv Model for Low-power And Rf Ic Design
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 133,96
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Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 148,36
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Charge-based Mos Transistor Modeling : The Ekv Model for Low-power And Rf Ic Design
Librería: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 137,92
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Charge-Based Mos Transistor Modeling : The Ekv Model for Low-Power and RF IC Design
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 144,21
Convertir monedaEUR 11,99 gastos de envío desde Alemania a EspañaCantidad disponible: 2 disponibles
Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. Neuware - Modern, large-scale analog integrated circuits (ICs) are essentially composed of metal-oxide semiconductor (MOS) transistors and their interconnections. As technology scales down to deep sub-micron dimensions and supply voltage decreases to reduce power consumption, these complex analog circuits are even more dependent on the exact behavior of each transistor. High-performance analog circuit design requires a very detailed model of the transistor, describing accurately its static and dynamic behaviors, its noise and matching limitations and its temperature variations. The charge-based EKV (Enz-Krummenacher-Vittoz) MOS transistor model for IC design has been developed to provide a clear understanding of the device properties, without the use of complicated equations. All the static, dynamic, noise, non-quasi-static models are completely described in terms of the inversion charge at the source and at the drain taking advantage of the symmetry of the device. Thanks to its hierarchical structure, the model offers several coherent description levels, from basic hand calculation equations to complete computer simulation model. It is also compact, with a minimum number of process-dependant device parameters.Written by its developers, this book provides a comprehensive treatment of the EKV charge-based model of the MOS transistor for the design and simulation of low-power analog and RF ICs. Clearly split into three parts, the authors systematically examine:\* the basic long-channel intrinsic charge-based model, including all the fundamental aspects of the EKV MOST model such as the basic large-signal static model, the noise model, and a discussion of temperature effects and matching properties;\* the extended charge-based model, presenting important information for understanding the operation of deep-submicron devices;\* the high-frequency model, setting out a complete MOS transistor model required for designing RF CMOS integrated circuits.Practising engineers and circuit designers in the semiconductor device and electronics systems industry will find this book a valuable guide to the modelling of MOS transistors for integrated circuits. It is also a useful reference for advanced students in electrical and computer engineering.
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Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design
Librería: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 154,63
Convertir monedaEUR 10,25 gastos de envío desde Reino Unido a EspañaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoHardback. Condición: New. New copy - Usually dispatched within 4 working days. 794.
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Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 129,32
Convertir monedaEUR 66,78 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
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Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design
Librería: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlanda
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
Original o primera edición
EUR 199,66
Convertir monedaEUR 2,00 gastos de envío desde Irlanda a EspañaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. As technology scales down to sub-micron dimensions the modelling of MOS device operation becomes of greater concern. The EKV model has been developed to facilitate the modelling and simulation of low voltage devices for application in low power semiconductor technologies. Num Pages: 328 pages, Illustrations. BIC Classification: TJ. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 251 x 173 x 24. Weight in Grams: 764. . 2006. 1st Edition. Hardcover. . . . .
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Design and Modeling of Low Power VLSI Systems (Advances in Computer and Electrical Engineering)
Publicado por Engineering Science Reference, 2016
ISBN 10: 1522501908 ISBN 13: 9781522501909
Idioma: Inglés
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 215,04
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Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design
Librería: BennettBooksLtd, North Las Vegas, NV, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 199,75
Convertir monedaEUR 39,18 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritohardcover. Condición: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title!
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Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design
Librería: Kennys Bookstore, Olney, MD, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 249,14
Convertir monedaEUR 1,96 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. As technology scales down to sub-micron dimensions the modelling of MOS device operation becomes of greater concern. The EKV model has been developed to facilitate the modelling and simulation of low voltage devices for application in low power semiconductor technologies. Num Pages: 328 pages, Illustrations. BIC Classification: TJ. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 251 x 173 x 24. Weight in Grams: 764. . 2006. 1st Edition. Hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Design and Modeling of Low Power VLSI Systems
Publicado por Engineering Science Reference, 2016
ISBN 10: 1522501908 ISBN 13: 9781522501909
Idioma: Inglés
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 226,74
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Añadir al carritoGebunden. Condición: New. Analyses various traditional and modern low power techniques for integrated circuit design in addition to the limiting factors of existing techniques and methods for optimization. It presents a research-based discussion of the technicalities involved in the.
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Design and Modeling of Low Power VLSI Systems (Advances in Computer and Electrical Engineering)
Publicado por Engineering Science Reference, 2016
ISBN 10: 1522501908 ISBN 13: 9781522501909
Idioma: Inglés
Librería: Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 222,00
Convertir monedaEUR 66,78 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New.
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Charge-Based MOS Transistor Modeling - The EKV Model for Low-Power and RF IC Design
Publicado por John Wiley and Sons Ltd, 2006
ISBN 10: 047085541X ISBN 13: 9780470855416
Idioma: Inglés
Librería: OM Books, Sevilla, SE, España
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 384,00
Convertir monedaGratis gastos de envío en EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: Usado - bueno.
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Design and Modeling of Low Power VLSI Systems Advances in Computer and Electrical Engineering
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 216,56
Convertir monedaEUR 5,54 gastos de envío desde Reino Unido a EspañaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoHRD. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Design and Modeling of Low Power VLSI Systems
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 225,67
Convertir monedaEUR 1,67 gastos de envío desde Estados Unidos de America a EspañaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoHRD. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Design and Modeling of Low Power VLSI Systems
Publicado por Engineering Science Reference, 2016
ISBN 10: 1522501908 ISBN 13: 9781522501909
Idioma: Inglés
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 274,12
Convertir monedaEUR 11,99 gastos de envío desde Alemania a EspañaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoBuch. Condición: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Very Large Scale Integration (VLSI) Systems refer to the latest development in computer microchips which are created by integrating hundreds of thousands of transistors into one chip. Emerging research in this area has the potential to uncover further applications for VSLI technologies in addition to system advancements. Design and Modeling of Low Power VLSI Systems analyzes various traditional and modern low power techniques for integrated circuit design in addition to the limiting factors of existing techniques and methods for optimization. Through a research-based discussion of the technicalities involved in the VLSI hardware development process cycle, this book is a useful resource for researchers, engineers, and graduate-level students in computer science and engineering.
