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Instructor's Manual to Accompany Assessment of Children: Cognitive Implications
Idioma: Inglés
Publicado por Jerome Sattler, Publisher, Inc. (edition 4th), 2001
ISBN 10: 0961820993 ISBN 13: 9780961820992
Librería: BooksRun, Philadelphia, PA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 5,74
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Añadir al carritoUnknown Binding. Condición: Good. 4th. It's a preowned item in good condition and includes all the pages. It may have some general signs of wear and tear, such as markings, highlighting, slight damage to the cover, minimal wear to the binding, etc., but they will not affect the overall reading experience.
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Instructor's Manual to Accompany Assessment of Children: Cognitive Implications
Idioma: Inglés
Publicado por Jerome Sattler, Publisher, Inc., 2001
ISBN 10: 0961820993 ISBN 13: 9780961820992
Librería: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 7,55
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Añadir al carritoUnknown. Condición: Very Good. No Jacket. May have limited writing in cover pages. Pages are unmarked. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less.
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Instructor's Manual to Accompany Assessment of Children: Cognitive Implications
Idioma: Inglés
Publicado por Jerome Sattler, Publisher, Inc. (edition 4th), 2001
ISBN 10: 0961820993 ISBN 13: 9780961820992
Librería: BooksRun, Philadelphia, PA, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 9,00
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: California Books, Miami, FL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 20,39
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Añadir al carritoCondición: New.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: Ria Christie Collections, Uxbridge, Reino Unido
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 18,63
Envío por EUR 13,84
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoCondición: New. In.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: moluna, Greven, Alemania
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 24,00
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Añadir al carritoCondición: New. KlappentextrnrnThe effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the qua.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: PBShop.store US, Wood Dale, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 20,77
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Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Idioma: Inglés
Publicado por Biblioscholar Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1286861640 ISBN 13: 9781286861646
Librería: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Alemania
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 46,50
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Añadir al carritoTaschenbuch. Condición: Neu. Neuware - The effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the quantum-level characteristics and properties that are responsible for device operation. AlxGa1-xN/GaN MODFETs were fabricated and irradiated at liquid nitrogen temperatures by 0.45 -1.2 MeV electrons up to doses of 6 1016 e /cm2. Following irradiation, low temperature I-V measurements were recorded providing dose-dependent measurements. Temperature-dependent I-V measurements were also made during room temperature annealing following irradiation. I-V measurements indicate radiation-induced changes occur in these devices creating increased gate and drain currents. These increased currents are only maintained at low temperatures (T greater than 300 K). It is believed that the increase in gate current is caused by an increase in the electron trap concentration of the AlxGa1-xN layer. This increase in trap concentration directly increases the trap-assisted tunneling current resulting in the observed increase in gate current. The mechanism causing the increase in drain current is unknown. Several theories explaining this increase are presented along with the additional research necessary to illuminate the correct theory. This is the first experiment involving electron radiation of AlxGa1-xN/GaN MODFETs.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 18,67
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Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: Más de 20 disponibles
Añadir al carritoPAP. Condición: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Librería: Mispah books, Redhill, SURRE, Reino Unido
Calificación del vendedor: 4 de 5 estrellas
EUR 101,17
Envío por EUR 28,89
Se envía de Reino Unido a Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritopaperback. Condición: Like New. Like New. book.
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Instructor's Manual to Accompany Assessment of Children: Cognitive Implications
Idioma: Inglés
Publicado por Jerome Sattler, Publisher, Inc., 2001
ISBN 10: 0961820993 ISBN 13: 9780961820992
Librería: Solr Books, Lincolnwood, IL, Estados Unidos de America
Calificación del vendedor: 5 de 5 estrellas
EUR 88,67
Envío por EUR 6,87
Se envía dentro de Estados Unidos de AmericaCantidad disponible: 1 disponibles
Añadir al carritoCondición: new.
