Si Passivation and Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride: Final Technical Report, March 18, 2007

Editorial: BiblioGov
ISBN 10: 1249132835 / ISBN 13: 9781249132837
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Reseña del editor: This report investigated chemical and physical methods for Si surface passivation for application in crystalline Si and thin Si film photovoltaic devices. Overall, our efforts during the project were focused in three areas: i) synthesis of silicon nitride thin films with high hydrogen content by hot-wire chemical vapor deposition; ii) investigation of the role of hydrogen passivation of defects in crystalline Si and Si solar cells by out diffusion from hydrogenated silicon nitride films; iii) investigation of the growth kinetics and passivation of hydrogenated polycrystalline. Silicon nitride films were grown by hot-wire chemical vapor deposition and film properties have been characterized as a function of SiH4/NH3 flow ratio. It was demonstrated that hot-wire chemical vapor deposition leads to growth of SiNx films with controllable stoichiometry and hydrogen.

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Detalles bibliográficos

Título: Si Passivation and Chemical Vapor Deposition...
Editorial: BiblioGov
Encuadernación: PAPERBACK
Condición del libro: New

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1.

National Renewable Energy Laboratory (NR
Publicado por BiblioGov (2016)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
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Publicado por Bibliogov, United States (2012)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
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Descripción Bibliogov, United States, 2012. Paperback. Condición: New. Language: English . Brand New Book ***** Print on Demand *****.This report investigated chemical and physical methods for Si surface passivation for application in crystalline Si and thin Si film photovoltaic devices. Overall, our efforts during the project were focused in three areas: i) synthesis of silicon nitride thin films with high hydrogen content by hot-wire chemical vapor deposition; ii) investigation of the role of hydrogen passivation of defects in crystalline Si and Si solar cells by out diffusion from hydrogenated silicon nitride films; iii) investigation of the growth kinetics and passivation of hydrogenated polycrystalline. Silicon nitride films were grown by hot-wire chemical vapor deposition and film properties have been characterized as a function of SiH4/NH3 flow ratio. It was demonstrated that hot-wire chemical vapor deposition leads to growth of SiNx films with controllable stoichiometry and hydrogen. Nº de ref. del artículo: AAV9781249132837

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Publicado por Bibliogov, United States (2012)
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Descripción Bibliogov, United States, 2012. Paperback. Condición: New. Language: English . Brand New Book ***** Print on Demand *****. This report investigated chemical and physical methods for Si surface passivation for application in crystalline Si and thin Si film photovoltaic devices. Overall, our efforts during the project were focused in three areas: i) synthesis of silicon nitride thin films with high hydrogen content by hot-wire chemical vapor deposition; ii) investigation of the role of hydrogen passivation of defects in crystalline Si and Si solar cells by out diffusion from hydrogenated silicon nitride films; iii) investigation of the growth kinetics and passivation of hydrogenated polycrystalline. Silicon nitride films were grown by hot-wire chemical vapor deposition and film properties have been characterized as a function of SiH4/NH3 flow ratio. It was demonstrated that hot-wire chemical vapor deposition leads to growth of SiNx films with controllable stoichiometry and hydrogen. Nº de ref. del artículo: AAV9781249132837

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National Renewable Energy Laboratory (Nr
Publicado por Bibliogov 7/20/2012 (2012)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
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Descripción Bibliogov 7/20/2012, 2012. Paperback or Softback. Condición: New. Si Passivation and Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride: Final Technical Report, March 18, 2007. Book. Nº de ref. del artículo: BBS-9781249132837

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National Renewable Energy Laboratory (NR [Creator]
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ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
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Publicado por BiblioGov
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
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Descripción BiblioGov. Paperback. Condición: New. This item is printed on demand. 42 pages. Dimensions: 9.7in. x 7.4in. x 0.1in.This report investigated chemical and physical methods for Si surface passivation for application in crystalline Si and thin Si film photovoltaic devices. Overall, our efforts during the project were focused in three areas: i) synthesis of silicon nitride thin films with high hydrogen content by hot-wire chemical vapor deposition; ii) investigation of the role of hydrogen passivation of defects in crystalline Si and Si solar cells by out diffusion from hydrogenated silicon nitride films; iii) investigation of the growth kinetics and passivation of hydrogenated polycrystalline. Silicon nitride films were grown by hot-wire chemical vapor deposition and film properties have been characterized as a function of SiH4NH3 flow ratio. It was demonstrated that hot-wire chemical vapor deposition leads to growth of SiNx films with controllable stoichiometry and hydrogen. This item ships from La Vergne,TN. Paperback. Nº de ref. del artículo: 9781249132837

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National Renewable Energy Laboratory (NR (Creator)
Publicado por BiblioGov (2012)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
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