Si Passivation and Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride: Final Technical Report, March 18, 2007

Editorial: BiblioGov
ISBN 10: 1249132835 / ISBN 13: 9781249132837
Usado / PAPERBACK / Cantidad: 0
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Sobre este título:

Sinopsis: This report investigated chemical and physical methods for Si surface passivation for application in crystalline Si and thin Si film photovoltaic devices. Overall, our efforts during the project were focused in three areas: i) synthesis of silicon nitride thin films with high hydrogen content by hot-wire chemical vapor deposition; ii) investigation of the role of hydrogen passivation of defects in crystalline Si and Si solar cells by out diffusion from hydrogenated silicon nitride films; iii) investigation of the growth kinetics and passivation of hydrogenated polycrystalline. Silicon nitride films were grown by hot-wire chemical vapor deposition and film properties have been characterized as a function of SiH4/NH3 flow ratio. It was demonstrated that hot-wire chemical vapor deposition leads to growth of SiNx films with controllable stoichiometry and hydrogen.

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Detalles bibliográficos

Título: Si Passivation and Chemical Vapor Deposition...
Editorial: BiblioGov
Encuadernación: PAPERBACK
Condición del libro: New

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1.

Editorial: Bibliogov, United States (2012)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
Nuevos Paperback Cantidad: 10
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(London, Reino Unido)
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Descripción Bibliogov, United States, 2012. Paperback. Estado de conservación: New. Language: English . Brand New Book ***** Print on Demand *****.This report investigated chemical and physical methods for Si surface passivation for application in crystalline Si and thin Si film photovoltaic devices. Overall, our efforts during the project were focused in three areas: i) synthesis of silicon nitride thin films with high hydrogen content by hot-wire chemical vapor deposition; ii) investigation of the role of hydrogen passivation of defects in crystalline Si and Si solar cells by out diffusion from hydrogenated silicon nitride films; iii) investigation of the growth kinetics and passivation of hydrogenated polycrystalline. Silicon nitride films were grown by hot-wire chemical vapor deposition and film properties have been characterized as a function of SiH4/NH3 flow ratio. It was demonstrated that hot-wire chemical vapor deposition leads to growth of SiNx films with controllable stoichiometry and hydrogen. Nº de ref. de la librería AAV9781249132837

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National Renewable Energy Laboratory (NR
Editorial: BiblioGov (2016)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
Nuevos Paperback Cantidad: 1
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Ria Christie Collections
(Uxbridge, Reino Unido)
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Descripción BiblioGov, 2016. Paperback. Estado de conservación: New. PRINT ON DEMAND Book; New; Publication Year 2016; Not Signed; Fast Shipping from the UK. No. book. Nº de ref. de la librería ria9781249132837_lsuk

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Editorial: Bibliogov, United States (2012)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
Nuevos Paperback Cantidad: 10
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The Book Depository US
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Descripción Bibliogov, United States, 2012. Paperback. Estado de conservación: New. Language: English . Brand New Book ***** Print on Demand *****. This report investigated chemical and physical methods for Si surface passivation for application in crystalline Si and thin Si film photovoltaic devices. Overall, our efforts during the project were focused in three areas: i) synthesis of silicon nitride thin films with high hydrogen content by hot-wire chemical vapor deposition; ii) investigation of the role of hydrogen passivation of defects in crystalline Si and Si solar cells by out diffusion from hydrogenated silicon nitride films; iii) investigation of the growth kinetics and passivation of hydrogenated polycrystalline. Silicon nitride films were grown by hot-wire chemical vapor deposition and film properties have been characterized as a function of SiH4/NH3 flow ratio. It was demonstrated that hot-wire chemical vapor deposition leads to growth of SiNx films with controllable stoichiometry and hydrogen. Nº de ref. de la librería AAV9781249132837

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National Renewable Energy Laboratory (Nr
Editorial: Bibliogov 7/20/2012 (2012)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
Nuevos Paperback or Softback Cantidad: 10
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(Grand Rapids, MI, Estados Unidos de America)
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Descripción Bibliogov 7/20/2012, 2012. Paperback or Softback. Estado de conservación: New. Si Passivation and Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride: Final Technical Report, March 18, 2007. Book. Nº de ref. de la librería BBS-9781249132837

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5.

National Renewable Energy Laboratory (NR [Creator]
Editorial: BiblioGov (2012)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
Nuevos Paperback Cantidad: 10
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(RICHMOND, TX, Estados Unidos de America)
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Descripción BiblioGov, 2012. Paperback. Estado de conservación: New. This item is printed on demand. Nº de ref. de la librería INGM9781249132837

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Editorial: BiblioGov
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
Nuevos Paperback Cantidad: > 20
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Descripción BiblioGov. Paperback. Estado de conservación: New. This item is printed on demand. 42 pages. Dimensions: 9.7in. x 7.4in. x 0.1in.This report investigated chemical and physical methods for Si surface passivation for application in crystalline Si and thin Si film photovoltaic devices. Overall, our efforts during the project were focused in three areas: i) synthesis of silicon nitride thin films with high hydrogen content by hot-wire chemical vapor deposition; ii) investigation of the role of hydrogen passivation of defects in crystalline Si and Si solar cells by out diffusion from hydrogenated silicon nitride films; iii) investigation of the growth kinetics and passivation of hydrogenated polycrystalline. Silicon nitride films were grown by hot-wire chemical vapor deposition and film properties have been characterized as a function of SiH4NH3 flow ratio. It was demonstrated that hot-wire chemical vapor deposition leads to growth of SiNx films with controllable stoichiometry and hydrogen. This item ships from La Vergne,TN. Paperback. Nº de ref. de la librería 9781249132837

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7.

National Renewable Energy Laboratory (NR (Creator)
Editorial: BiblioGov (2012)
ISBN 10: 1249132835 ISBN 13: 9781249132837
Usado Paperback Cantidad: 1
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Descripción BiblioGov, 2012. Paperback. Estado de conservación: Used: Good. Nº de ref. de la librería SONG1249132835

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