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Modelo matemático para el diseño de antena Lente RADANT: Diseño de lente RADANT con comutadores diodo pin y MEMS (Paperback)

Luis Alejandro Iturri Hinojosa, Alexander E. Martynyuk

ISBN 10: 3659656801 / ISBN 13: 9783659656804
Editorial: EAE, 2017
Nuevos Condición: New Encuadernación de tapa blanda
Librería: The Book Depository EURO (London, Reino Unido)

Librería en AbeBooks desde: 29 de abril de 2014 Valoración librería Valoración 3 estrellas

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Language: Spanish . Brand New Book. El libro presenta el desarrollo de un modelo matemático a partir de teoría electromagnética para el diseño de antenas de arreglos de fase tipo lente RADANT utilizando conmutadores diodos p-i-n y dispositivos MEMS. Utilizando el matemático desarrollado, se diseñó una lente RADANT de 3 bits con diodos p-i-n para la banda X. La lente diseñada para 10 GHz tiene sector de escaneo de 62 grados en el plano E y 16 grados en el plano H con coeficientes de conversión mejores a -2.3dB y -4dB, respectivamente. La lente de 3 bits diseñada para la banda Ka demostró los sectores de escaneo teóricos de 62 grados en el plano E y de 12.6 grados en el plano H con coeficientes de conversión superiores a -2dB y -3.4dB, respectivamente, en un ancho de banda de 4GHz. La sustitución de los diodos p-i-n por conmutadores MEMS resultó en aumento de coeficiente de conversión teórico en 0.43dB para la lente operando en la banda X. Para mejorar las características de escaneo en el plano H modificamos el diseño de lente RADANT en la banda X. Como resultado, el sector de escaneo de la lente modificada aumentó 1.75 veces. El modelo matemático fue verificado experimentalmente. N° de ref. de la librería KNV9783659656804

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Detalles bibliográficos

Título: Modelo matemático para el diseño de antena ...

Editorial: EAE

Año de publicación: 2017

Encuadernación: Paperback

Condición del libro: New

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Reseña del editor:

El libro presenta el desarrollo de un modelo matemático a partir de teoría electromagnética para el diseño de antenas de arreglos de fase tipo lente RADANT utilizando conmutadores diodos p-i-n y dispositivos MEMS. Utilizando el matemático desarrollado, se diseñó una lente RADANT de 3 bits con diodos p-i-n para la banda X. La lente diseñada para 10 GHz tiene sector de escaneo de 62 grados en el plano E y 16 grados en el plano H con coeficientes de conversión mejores a -2.3dB y -4dB, respectivamente. La lente de 3 bits diseñada para la banda Ka demostró los sectores de escaneo teóricos de 62 grados en el plano E y de 12.6 grados en el plano H con coeficientes de conversión superiores a -2dB y -3.4dB, respectivamente, en un ancho de banda de 4GHz. La sustitución de los diodos p-i-n por conmutadores MEMS resultó en aumento de coeficiente de conversión teórico en 0.43dB para la lente operando en la banda X. Para mejorar las características de escaneo en el plano H modificamos el diseño de lente RADANT en la banda X. Como resultado, el sector de escaneo de la lente modificada aumentó 1.75 veces. El modelo matemático fue verificado experimentalmente.

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