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Modelisation de La Mobilite Des Electrons Dans Les Semiconducteurs

Nacereddine LAKHDAR

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ISBN 10: 6131551391 / ISBN 13: 9786131551390
Editorial: Editions Universitaires Europeennes
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Paperback. 88 pages. Dimensions: 8.7in. x 5.9in. x 0.2in.Des matriaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont trs attractifs car leur utilisation, dans lindustrie des composants lectroniques, permet datteindre simultanment de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. Cest en particulier la consquence des proprits remarquables des composs III-V base dazote que sont les nitrures. Des modles de la mobilit des lectrons dans nitrure de gallium ont t dvelopps au paravent, mais leurs applications sont limites car ils ne sont pas valables pour les basses tempratures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destin dvelopper des approches analytiques de la mobilit des lectrons qui peuvent tre utilises pour tudier le mcanisme de transport des lectrons dans le GaN pour des larges gammes de tempratures et de dopages sous leffet de nimporte quel champ lectrique en utilisant les techniques volutionnaires. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN. N° de ref. de la librería 9786131551390

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Detalles bibliográficos

Título: Modelisation de La Mobilite Des Electrons ...

Editorial: Editions Universitaires Europeennes

Encuadernación: Paperback

Condición del libro: New

Tipo de libro: Paperback

Acerca de

Sinopsis:

Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T<240K) et les concentrations du dopants (dopage) élevées (N>10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.

About the Author:

Fayçal DJEFFAL est Docteur en Electronique, enseignant chercheur à l'Université de Batna (Algérie), membre du "Laboratoire d'Electronique Avancée"de l'Université de Batna. Ses recherches se situent dans le champ de la Micro et la Nanoélectronique. Son travail se focalise sur l'étude et modélisation des dispositifs électroniques.

Fayçal DJEFFAL est Docteur en Electronique, enseignant chercheur à l'Université de Batna (Algérie), membre du "Laboratoire d'Electronique Avancée"de l'Université de Batna. Ses recherches se situent dans le champ de la Micro et la Nanoélectronique. Son travail se focalise sur l'étude et modélisation des dispositifs électroniques.

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