Modélisation du transistor MOSFET nanométrique: Application à l'étude et la modélisation du transistor VSG MOSFET nanométrique (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

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9786131574061: Modélisation du transistor MOSFET nanométrique: Application à l'étude et la modélisation du transistor VSG MOSFET nanométrique (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

La voie de l'intégration empruntée par les constructeurs a créé une évolution du procédé et de la physique des transistors. A une échelle submicronique, la dégradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur à l'intégration. Les transistors multi grille peuvent être potentiellement considérés comme une solution à ce problème. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et décrit l'évolution de la modélisation des transistors MOSFET au fil des avancées technologiques et physiques. Une synthèse nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modélisation le plus avantageux, une structure verticale à grille cylindrique (VSG) à dopage graduel incluant une couche à haute permittivité (high-К), modélisée analytiquement en régime de sous seuil. La fiabilité du modèle dérivé est discutée en s'appuyant sur les résultats de simulations numériques obtenus à l'aide du progiciel ATLAS.

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About the Author:

Nidhal ABDELMALEK a obtenu son diplôme d'ingénieur et de magister en électronique de l'université de Batna en Algérie, respectivement en 2007 et 2011. Ses recherches portent sur la modélisation des dispositifs micro et nano électroniques.

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1.

Abdelmalek-N
Editorial: Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Paperback Cantidad: 10
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Descripción Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. Estado de conservación: New. Language: French . This book usually ship within 10-15 business days and we will endeavor to dispatch orders quicker than this where possible. Brand New Book. La voie de l integration empruntee par les constructeurs a cree une evolution du procede et de la physique des transistors. A une echelle submicronique, la degradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur a l integration. Les transistors multi grille peuvent etre potentiellement consideres comme une solution a ce probleme. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et decrit l evolution de la modelisation des transistors MOSFET au fil des avancees technologiques et physiques. Une synthese nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modelisation le plus avantageux, une structure verticale a grille cylindrique (VSG) a dopage graduel incluant une couche a haute permittivite (high- ), modelisee analytiquement en regime de sous seuil. La fiabilite du modele derive est discutee en s appuyant sur les resultats de simulations numeriques obtenus a l aide du progiciel ATLAS. Nº de ref. de la librería OMN9786131574061

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Abdelmalek-N
Editorial: Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Paperback Cantidad: 1
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The Book Depository
(London, Reino Unido)
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Descripción Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. Estado de conservación: New. Language: French . Brand New Book. La voie de l integration empruntee par les constructeurs a cree une evolution du procede et de la physique des transistors. A une echelle submicronique, la degradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur a l integration. Les transistors multi grille peuvent etre potentiellement consideres comme une solution a ce probleme. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et decrit l evolution de la modelisation des transistors MOSFET au fil des avancees technologiques et physiques. Une synthese nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modelisation le plus avantageux, une structure verticale a grille cylindrique (VSG) a dopage graduel incluant une couche a haute permittivite (high- ), modelisee analytiquement en regime de sous seuil. La fiabilite du modele derive est discutee en s appuyant sur les resultats de simulations numeriques obtenus a l aide du progiciel ATLAS. Nº de ref. de la librería KNV9786131574061

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Abdelmalek-N
Editorial: Univ Europeenne 2011-05-27 (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos paperback Cantidad: > 20
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Blackwell's
(Oxford, OX, Reino Unido)
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Descripción Univ Europeenne 2011-05-27, 2011. paperback. Estado de conservación: New. Nº de ref. de la librería 9786131574061

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Abdelmalek-N
Editorial: Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Paperback Cantidad: 1
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The Book Depository US
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Descripción Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. Estado de conservación: New. Language: French . Brand New Book. La voie de l integration empruntee par les constructeurs a cree une evolution du procede et de la physique des transistors. A une echelle submicronique, la degradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur a l integration. Les transistors multi grille peuvent etre potentiellement consideres comme une solution a ce probleme. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et decrit l evolution de la modelisation des transistors MOSFET au fil des avancees technologiques et physiques. Une synthese nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modelisation le plus avantageux, une structure verticale a grille cylindrique (VSG) a dopage graduel incluant une couche a haute permittivite (high- ), modelisee analytiquement en regime de sous seuil. La fiabilite du modele derive est discutee en s appuyant sur les resultats de simulations numeriques obtenus a l aide du progiciel ATLAS. Nº de ref. de la librería KNV9786131574061

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Nidhal Abdelmalek
Editorial: Univ Européenne (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Tapa blanda Cantidad: 1
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Gallix
(Gif sur Yvette, Francia)
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Descripción Univ Européenne, 2011. Estado de conservación: Neuf. Nº de ref. de la librería 9786131574061

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ABDELMALEK-N
Editorial: OmniScriptum (2016)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Paperback Cantidad: 1
Impresión bajo demanda
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Ria Christie Collections
(Uxbridge, Reino Unido)
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Descripción OmniScriptum, 2016. Paperback. Estado de conservación: New. PRINT ON DEMAND Book; New; Publication Year 2016; Not Signed; Fast Shipping from the UK. No. book. Nº de ref. de la librería ria9786131574061_lsuk

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Nidhal Abdelmalek
Editorial: Omniscriptum (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Cantidad: > 20
Impresión bajo demanda
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Pbshop
(Wood Dale, IL, Estados Unidos de America)
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Descripción Omniscriptum, 2011. PAP. Estado de conservación: New. New Book. Shipped from US within 10 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. Nº de ref. de la librería IQ-9786131574061

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Nidhal Abdelmalek
Editorial: Omniscriptum (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Cantidad: > 20
Impresión bajo demanda
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(Fairford, GLOS, Reino Unido)
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Descripción Omniscriptum, 2011. PAP. Estado de conservación: New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 3 to 5 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. Nº de ref. de la librería LQ-9786131574061

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9.

Nidhal Abdelmalek
Editorial: Editions Universitaires Europeennes EUE Mai 2011 (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Taschenbuch Cantidad: 2
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BuchWeltWeit Inh. Ludwig Meier e.K.
(Bergisch Gladbach, Alemania)
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Descripción Editions Universitaires Europeennes EUE Mai 2011, 2011. Taschenbuch. Estado de conservación: Neu. Neuware - La voie de l'intégration empruntée par les constructeurs a créé une évolution du procédé et de la physique des transistors. A une échelle submicronique, la dégradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur à l'intégration. Les transistors multi grille peuvent être potentiellement considérés comme une solution à ce problème. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et décrit l'évolution de la modélisation des transistors MOSFET au fil des avancées technologiques et physiques. Une synthèse nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modélisation le plus avantageux, une structure verticale à grille cylindrique (VSG) à dopage graduel incluant une couche à haute permittivité (high- ), modélisée analytiquement en régime de sous seuil. La fiabilité du modèle dérivé est discutée en s'appuyant sur les résultats de simulations numériques obtenus à l'aide du progiciel ATLAS. 88 pp. Französisch. Nº de ref. de la librería 9786131574061

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10.

Nidhal Abdelmalek
Editorial: Editions Universitaires Europeennes EUE Mai 2011 (2011)
ISBN 10: 6131574065 ISBN 13: 9786131574061
Nuevos Taschenbuch Cantidad: 2
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Rheinberg-Buch
(Bergisch Gladbach, Alemania)
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Descripción Editions Universitaires Europeennes EUE Mai 2011, 2011. Taschenbuch. Estado de conservación: Neu. Neuware - La voie de l'intégration empruntée par les constructeurs a créé une évolution du procédé et de la physique des transistors. A une échelle submicronique, la dégradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur à l'intégration. Les transistors multi grille peuvent être potentiellement considérés comme une solution à ce problème. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et décrit l'évolution de la modélisation des transistors MOSFET au fil des avancées technologiques et physiques. Une synthèse nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modélisation le plus avantageux, une structure verticale à grille cylindrique (VSG) à dopage graduel incluant une couche à haute permittivité (high- ), modélisée analytiquement en régime de sous seuil. La fiabilité du modèle dérivé est discutée en s'appuyant sur les résultats de simulations numériques obtenus à l'aide du progiciel ATLAS. 88 pp. Französisch. Nº de ref. de la librería 9786131574061

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