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AlGaN/GaN-HEMT Power Amplifiers with Optimized Power-Added Efficiency for X-Band Applications - Tapa blanda
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This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.
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- EditorialKIT Scientific Publishing
- Año de publicación2012
- ISBN 10 3866446152
- ISBN 13 9783866446151
- EncuadernaciónTapa blanda
- IdiomaInglés
- Número de páginas262
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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Publicado por
Karlsruher Institut Für Technologie Jun 2011, 2011
ISBN 10: 3866446152
ISBN 13: 9783866446151
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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
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Karlsruher Institut Für Technologie, 2012
ISBN 10: 3866446152
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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Publicado por
KIT Scientific Publishing, 2014
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ISBN 13: 9783866446151
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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
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Karlsruher Institut für Technologie, 2014
ISBN 10: 3866446152
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Taschenbuch. Condición: Neu. AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications | Jutta Kühn | Taschenbuch | 262 S. | Englisch | 2014 | Karlsruher Institut für Technologie | EAN 9783866446151 | Verantwortliche Person für die EU: KIT Scientific Publishing, Straße am Forum 2, 76131 Karlsruhe, info[at]ksp[dot]kit[dot]edu | Anbieter: preigu. Nº de ref. del artículo: 105170314
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AlGaN/GaN-HEMT Power Amplifiers with Optimized Power-Added Efficiency for X-Band Applications
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KIT Scientific Publishing, 2012
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